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龍圖騰網(wǎng)恭喜遼寧大學(xué)申請的專利一種生長于透明基底的半導(dǎo)體薄膜材料吸收系數(shù)的優(yōu)化計算方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114544529B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210165701.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N21/31；該發(fā)明授權(quán)一種生長于透明基底的半導(dǎo)體薄膜材料吸收系數(shù)的優(yōu)化計算方法是由李碩;吳云;李亞會;張宇;宋溪明設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-02-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種生長于透明基底的半導(dǎo)體薄膜材料吸收系數(shù)的優(yōu)化計算方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公布了一種生長于透明基底的半導(dǎo)體薄膜材料吸收系數(shù)的優(yōu)化計算方法。計算過程包括如下步驟：首先通過紫外?可見分光光度計對半導(dǎo)體電極進行紫外?可見吸收光譜和反射光譜的測試，然后利用反射光譜對測得的吸收值進行修正。接下來通過對吸收值進行Min?Max標準化處理使其更符合實際，最后利用吸收系數(shù)與吸收值的關(guān)系推導(dǎo)出純半導(dǎo)體薄膜的吸收系數(shù)。本發(fā)明主要通過紫外?可見吸收光譜、反射光譜優(yōu)化計算純半導(dǎo)體薄膜的吸收系數(shù)，提出了一種計算純半導(dǎo)體薄膜吸收系數(shù)的方法，該種方法可以應(yīng)用到任何半導(dǎo)體薄膜電極，為準確計算半導(dǎo)體薄膜的吸收系數(shù)提供了依據(jù)。

本發(fā)明授權(quán)一種生長于透明基底的半導(dǎo)體薄膜材料吸收系數(shù)的優(yōu)化計算方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種生長于透明基底的半導(dǎo)體薄膜材料吸收系數(shù)的優(yōu)化計算方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟一：通過紫外-可見分光光度計對半導(dǎo)體電極進行紫外-可見吸收光譜和反射光譜的測試得到吸收值A(chǔ)測和反射率R；步驟二：利用反射光譜測試得到的R對步驟一測得的吸收值A(chǔ)測進行修正；步驟三：對修正后的吸收值A(chǔ)修進行Min-Max標準化處理得到A*；步驟四：利用吸收系數(shù)與吸收值A(chǔ)*的關(guān)系推導(dǎo)出半導(dǎo)體薄膜的吸收系數(shù)；所述步驟二中吸收值的修正公式如下： A 修 = =lg1-R%+A 測 ；其中，R%為反射率，R%=，IR為反射光光強；所述步驟四中吸收系數(shù)的計算公式如下： =·；變形得：，兩邊取對數(shù)可得：，即A修=；其中，α為吸收系數(shù)，l為半導(dǎo)體薄膜的厚度；由于實際過程中對A修進行了Min-Max標準化處理，故此時的吸收系數(shù)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人遼寧大學(xué)，其通訊地址為：110000 遼寧省沈陽市沈北新區(qū)道義南大街58號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。