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龍圖騰網(wǎng)恭喜伏達(dá)半導(dǎo)體(合肥)股份有限公司申請(qǐng)的專利無(wú)閂鎖側(cè)向IGBT裝置、制造方法及器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115312594B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210413207.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D12/00；該發(fā)明授權(quán)無(wú)閂鎖側(cè)向IGBT裝置、制造方法及器件是由林中;黃金彪設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本無(wú)閂鎖側(cè)向IGBT裝置、制造方法及器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種無(wú)閂鎖側(cè)向IGBT裝置、制造方法及器件，包括形成在襯底上方的漂移區(qū)、形成在襯底上方的體區(qū)、形成在漂移區(qū)內(nèi)的第一阱區(qū)、形成在第一阱區(qū)中的集電極區(qū)、形成在體區(qū)中的發(fā)射極區(qū)、形成在體區(qū)中的第一體接觸部，位于集電極區(qū)和發(fā)射極區(qū)之間的第一柵極，形成在襯底上方的第二阱區(qū)，形成在第二阱區(qū)中的漏極區(qū)，其中漏極區(qū)和發(fā)射極區(qū)彼此電連接，形成在第二阱區(qū)中的源極區(qū)，其中源極區(qū)和第一體接觸部彼此電連接，以及位于漏極區(qū)和源極區(qū)之間的第二柵極，其中第二柵極和第一柵極彼此電連接。

本發(fā)明授權(quán)無(wú)閂鎖側(cè)向IGBT裝置、制造方法及器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：具有第一導(dǎo)電性的襯底；形成在所述襯底上方的具有第二導(dǎo)電性的漂移區(qū)；形成在所述襯底上方的具有所述第一導(dǎo)電性的體區(qū)；形成在所述漂移區(qū)內(nèi)的具有所述第二導(dǎo)電性的第一阱區(qū)；形成在所述第一阱區(qū)中的具有所述第一導(dǎo)電性的集電極區(qū)；形成在所述體區(qū)中的具有所述第二導(dǎo)電性的發(fā)射極區(qū)；形成在所述體區(qū)中的具有所述第一導(dǎo)電性的第一體接觸部；位于所述集電極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)之間的第一柵極；形成在所述襯底上方的具有所述第一導(dǎo)電性的第二阱區(qū)；形成在所述第二阱區(qū)中的具有所述第二導(dǎo)電性的漏極區(qū)，其中所述漏極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)彼此電連接；形成在所述第二阱區(qū)中的具有所述第二導(dǎo)電性的源極區(qū)，其中所述源極區(qū)和所述第一體接觸部彼此電連接；和位于所述漏極區(qū)與所述源極區(qū)之間的第二柵極，其中所述第二柵極與所述第一柵極彼此電連接。

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