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龍圖騰網恭喜中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115148643B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210938351.1，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法是由吳祥;李衛民設計研發完成，并于2022-08-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法，濕法蝕刻設備包括蝕刻腔室及吸附模塊，吸附模塊的一端與蝕刻腔室的排液口相連通和或吸附模塊設置于蝕刻腔室內，蝕刻腔室用于基板上氧化硅、硅或氮化硅的濕法蝕刻，吸附模塊設置有用于吸附蝕刻產物硅化合物的吸附物質，蝕刻腔室中的氧化硅、硅或氮化硅材料蝕刻過程中的蝕刻液流經吸附模塊，蝕刻產物硅化合物被吸附模塊吸附去除，從而實現蝕刻液的再生。本發明的濕法蝕刻設備，在蝕刻液的循環路徑上設置可吸附硅化合物的吸附模塊，可以有效延長蝕刻液的使用壽命，降低使用成本及減少因蝕刻液的廢液排放帶來的環境污染，且可降低更換蝕刻液的頻率，有助于提高生產效率。

本發明授權濕法蝕刻設備及濕法蝕刻方法在權利要求書中公布了：1.一種濕法蝕刻設備，其特征在于，所述蝕刻設備包括蝕刻腔室及吸附模塊，所述吸附模塊的一端經一循環管路與所述蝕刻腔室的排液口相連通；另一端與所述蝕刻腔室的進液口相連通；其中，所述循環管路包含一閥、一管段A及一管段B，所述吸附模塊設置于所述管段B，并通過所述閥控制蝕刻液流向所述管段A或所述管段B；所述蝕刻腔室收容待處理的基板和所述蝕刻液，且所述蝕刻液與所述基板相接觸以蝕刻所述基板上的材料，并產生蝕刻產物硅化合物，其中，所述基板上的所述材料包括硅、氧化硅和氮化硅中的任一種或組合；所述吸附模塊設置有吸附劑，所述蝕刻腔室中的蝕刻液進入所述吸附模塊，蝕刻產物硅化合物被所述吸附模塊中的所述吸附劑所去除；其中，所述吸附劑為固體化學吸附劑，裝載于所述吸附模塊中，包括離子交換樹脂、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化硅及有機硅化合物中的任意一種或多種經表面基團改性后的物質，其中，基團改性是指采用包括磺酸基、羧基、環己基、三甲基氨丙基、苯磺酸丙基、乙二胺-N-丙基中的一種或多種進行改性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海微系統與信息技術研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區長寧路865號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。