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龍圖騰網(wǎng)恭喜東芯半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利用于過擦除修復(fù)的方法和存儲裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115295056B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210961804.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C16/34；該發(fā)明授權(quán)用于過擦除修復(fù)的方法和存儲裝置是由陳緯榮設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-08-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于過擦除修復(fù)的方法和存儲裝置在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N用于對非易失性存儲器進行過擦除修復(fù)的方法、可執(zhí)行該方法的存儲裝置、以及存儲有執(zhí)行該方法的指令的計算機可讀介質(zhì)，所述非易失性存儲器包括多個存儲區(qū)塊，所述方法包括：a.對多個存儲區(qū)塊中的第一存儲區(qū)塊執(zhí)行局部過擦除修復(fù)，局部過擦除修復(fù)以逐字線方式執(zhí)行；b.對多個存儲區(qū)塊中的存儲單元進行全字線過擦除校驗；以及c.響應(yīng)于判斷全部字線上的存儲單元中存在過擦除存儲單元，對多個存儲區(qū)塊中未執(zhí)行過局部過擦除修復(fù)的存儲區(qū)塊中的一個存儲區(qū)塊執(zhí)行局部過擦除修復(fù)。

本發(fā)明授權(quán)用于過擦除修復(fù)的方法和存儲裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于對非易失性存儲器進行過擦除修復(fù)的方法，所述非易失性存儲器包括多個存儲區(qū)塊，所述方法包括：a.對所述多個存儲區(qū)塊中的第一存儲區(qū)塊執(zhí)行局部過擦除修復(fù)，所述局部過擦除修復(fù)以逐字線方式執(zhí)行并且包括：將當(dāng)前字線偏置到第一電壓以對當(dāng)前字線上的存儲單元執(zhí)行過擦除校驗，所述第一電壓高于所述第一存儲區(qū)塊中其他字線的電壓；以及響應(yīng)于判斷當(dāng)前字線上存在過擦除存儲單元，對當(dāng)前字線上的過擦除存儲單元執(zhí)行修復(fù)操作；b.對所述多個存儲區(qū)塊中的存儲單元進行全字線過擦除校驗，包括：同時將所述多個存儲區(qū)塊中的全部字線偏置到第二電壓以對所述全部字線上的存儲單元進行過擦除校驗；以及c.響應(yīng)于判斷所述全部字線上的存儲單元中存在過擦除存儲單元，對所述多個存儲區(qū)塊中未執(zhí)行過所述局部過擦除修復(fù)的存儲區(qū)塊中的一個存儲區(qū)塊執(zhí)行所述局部過擦除修復(fù)。

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