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龍圖騰網恭喜新疆未來雙碳能源有限公司申請的專利一種硅異質結太陽電池的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116259688B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211428408.X，技術領域涉及：H10F71/10；該發明授權一種硅異質結太陽電池的制備方法是由薛彥斌;王強;王步峰;陳斌;譚聞鈞;安艷龍設計研發完成，并于2022-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅異質結太陽電池的制備方法在說明書摘要公布了：一種硅異質結太陽電池的制備方法，PECVD化學沉積過程中①將二氧化碳形成含氧活性基團能的等離子體，在硅片表面形成鈍化硅片表面懸掛鍵的氧化層；②對已鈍化硅片表面懸掛鍵的硅片在低氫稀釋比的氣體氛圍下繼續沉積，為界面鈍化提供豐富的氫；③使用氬等離子體對硅片進行轟擊，使非晶硅內的硅?硅或者硅?氫弱鍵斷裂重組，使自由氫原子向界面擴散與硅片表面的懸掛鍵結合，降低界面缺陷密度，提高光敏性；④在高氫稀釋比的氣體氛圍下，引入二氧化碳作為氧源繼續沉積，增加非晶硅的禁帶寬度，降低寄生光吸收，提高太陽電池的光生電流密度，可以有效降低本征非晶硅的寄生光吸收問題，從而解決異質結太陽電池的光生電流降低問題。

本發明授權一種硅異質結太陽電池的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅異質結太陽電池的制備方法，對雙面制絨的硅片進行PECVD化學沉積法進行沉積，其特征在于沉積過程中依次使用以下方法：①將二氧化碳形成含氧活性基團能的等離子體，在硅片表面形成鈍化硅片表面懸掛鍵的氧化層；②對已鈍化硅片表面懸掛鍵的硅片在SiH4和H2流量比為1:0-1:3的低氫稀釋比的氣體氛圍下繼續沉積，為界面鈍化提供豐富的氫；③使用氬等離子體對硅片進行轟擊，使非晶硅內的硅-硅或者硅-氫弱鍵斷裂重組，使自由氫原子向界面擴散與硅片表面的懸掛鍵結合，降低界面缺陷密度，提高光敏性；④在SiH4和H2流量比為1:5-1:30的高氫稀釋比的氣體氛圍下，引入二氧化碳作為氧源繼續沉積，增加非晶硅的禁帶寬度，降低寄生光吸收，提高太陽電池的光生電流密度，在步驟④后，⑤在SiH4和H2流量比為1:10-1:50的較高氫稀釋比的氣體氛圍下繼續沉積，降低與摻雜非晶硅的接觸電阻。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新疆未來雙碳能源有限公司，其通訊地址為：839000 新疆維吾爾自治區哈密市伊州區綠洲大道111號哈密高新區管委會南樓1-15號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。