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龍圖騰網恭喜陜西科技大學申請的專利一種基于雙憶阻器的可變電阻電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116092763B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211493747.6，技術領域涉及：H01C10/00；該發明授權一種基于雙憶阻器的可變電阻電路是由朱媛媛;王紅軍;黃佳霖;李治國設計研發完成，并于2022-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于雙憶阻器的可變電阻電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于雙憶阻器的可變電阻電路，屬于可變電阻器技術領域。包括控制信號輸入電路、阻值調節電路以及阻值輸出電路；控制信號輸入電路與阻值調節電路連接，用于將控制信號輸入阻值調節電路，實現對阻值調節電路實現阻值的調節，阻值調節電路的輸出與阻值輸出電路連接以實現阻值的輸出。本發明制備的器件尺寸極小，適合大規模集成；與CMOS工藝兼容，電路的設計簡單易行，大大提高利用率、可復制性、可創新性。通過計算機控制的可變負載，更加靈活可控、穩定高效，實現了對電路的多場景控制。

本發明授權一種基于雙憶阻器的可變電阻電路在權利要求書中公布了：1.一種基于雙憶阻器的可變電阻電路，其特征在于，包括控制信號輸入電路（1）、阻值調節電路（2）、阻值輸出電路（3）；控制信號輸入電路（1）與阻值調節電路（2）連接，用于將控制信號輸入阻值調節電路（2），實現對憶阻器元件阻值調節；所述阻值調節電路（2）由兩個并聯的憶阻器調控單元組成；阻值調節電路（2）與阻值輸出電路（3）連接，實現阻值輸出；所述阻值調節電路（2）中，每個憶阻器調控單元包括MOS管和二極管，實現與第一輸入端子（6）、第二輸入端子（7）、Control控制端子（4）以及地線端子（5）的連接；所述阻值調節電路（2）中的兩個并聯的憶阻器調控單元包含左右兩側并聯的兩條支路；左側的支路包括第一二極管（12）、第二二極管（13）、第五N型MOS管（18）、第六N型MOS管（19）和第一憶阻器元件（20）；右側的支路包括第三二極管（14）、第四二極管（15）、第三N型MOS管（16）、第四N型MOS管（17）和第二憶阻器元件（21）；第一輸入端子（6）分成兩路，一路連接在第一N型MOS管（8）的源極，并將第一N型MOS管（8）的漏極接入第一二極管（12）的正極；第一二極管（12）的負極與第五N型MOS管（18）的柵極、第一憶阻器元件（20）的一端以及第六N型MOS管（19）的漏極連接；第二輸入端子（7）分成兩路，一路連接在第二N型MOS管（9）的源極，并將第二N型MOS管（9）的漏極連接第二二極管（13）的正極；第二二極管（13）的負極與第六N型MOS管（19）的柵極、第一憶阻器元件（20）的另一端以及第五N型MOS管（18）的漏極連接；第一輸入端子（6）分成的兩路中異于接入第一調控單元的一路連接第一P型MOS管（10）的源極，并將第一P型MOS管（10）的漏極連接第三二極管（14）的正極；第三二極管（14）的負極與第三N型MOS管（16）的柵極、第二憶阻器元件（21）的一端以及第四N型MOS管（17）的漏極連接；第二輸入端子（7）分成的兩路中異于接入第一調控單元的一路連接第二P型MOS管（11）的源極，并將第二P型MOS管（11）的漏極連接第四二極管（15）的正極；第四二極管（15）的負極與第四N型MOS管（17）的柵極、第二憶阻器元件（21）的另一端以及第三N型MOS管（16）的漏極連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人陜西科技大學，其通訊地址為：710021 陜西省西安市未央區大學園；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。