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龍圖騰網恭喜杭州電子科技大學申請的專利一種適用于片上電源濾波的高密度電容及其實現方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116314351B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310090461.1，技術領域涉及：H10D1/66；該發明授權一種適用于片上電源濾波的高密度電容及其實現方法是由羅將;趙鎮鑫;張智;劉軍設計研發完成，并于2023-02-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種適用于片上電源濾波的高密度電容及其實現方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種適用于片上電源濾波的高密度電容及其實現方法。本發明所涉及的高密度的片上電容，包括有源MOS電容和無源MOM電容兩部分。其中，有源MOS電容通過一個大尺寸MOS晶體管實現，MOS晶體管的柵極和供電金屬平面連接，MOS晶體管的源極和漏極和地平面并接，當供電金屬平面施加正向電壓時，MOS管的柵極和其源極與漏極之間形成顯著的大電容效應。MOM電容通過多層金屬垂直堆疊的交叉插指電容陣列實現。在電氣連接方式上，有源MOS電容和無源MOM電容以并聯的方式連接共同作用，在緊湊的尺寸內實現極高的電容密度，而且結構緊湊，占用面積小，制造成本低，兼容于多種半導體工藝，易于大規模集成。

本發明授權一種適用于片上電源濾波的高密度電容及其實現方法在權利要求書中公布了：1.一種適用于片上電源濾波的高密度電容，其特征在于由有源MOS電容10和無源MOM電容構成；有源MOS電容10位于供電金屬平面的下方，無源MOM電容位于供電金屬平面的上方，有源MOS電容10的柵極和無源MOM電容的一端共同連接到供電金屬平面，有源MOS電容10的源極和漏極短接到地平面，無源MOM電容的另一端通過第一金屬通孔6短接到地平面；有源MOS電容10和無源MOM電容以并聯的方式連接；所述無源MOM電容為兩端口互易器件，由第五金屬層5、第四金屬層4、第三金屬層3、第四金屬通孔9和第三金屬通孔8構成，其中所述第五金屬層5、第四金屬層4、第三金屬層3間存在氧化物介質層；所述第四金屬通孔9和第三金屬通孔8貫穿氧化物介質層；所述第五金屬層5、第四金屬層4的兩端通過第四金屬通孔9堆疊連接在一起，第四金屬層4和第三金屬層3的兩端通過第三金屬通孔8堆疊連接在一起，三層金屬層依次垂直堆疊連接；第五金屬層5、第四金屬層4和第三金屬層3被刻蝕成交叉插指圖案；所述無源MOM電容的電容值C1根據如下公式進行調控： 式中ε表示制造工藝的介電常數，a表示叉指有效長度，b表示叉指的寬度，t表示叉指的厚度，d表示叉指的間距，n表示叉指的數量；當在有源MOS電容10的柵極上施加正向電壓時，有源MOS電容10的源極和漏極之間會形成導電溝道，存在強電容效應，此時就會形成高密度的MOS電容，有源MOS電容10的電容值C2根據如下公式進行調控： 式中，Cox和Cov分別是單位面積的柵氧化層電容和單位寬度的交疊電容，L表示柵長，W表示柵寬。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州電子科技大學，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市下沙高教園區2號大街；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。