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龍圖騰網恭喜東南大學申請的專利一種太赫茲頻段低損耗高集成度的芯片波導轉接結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116190960B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310316308.6，技術領域涉及：H01P5/107；該發明授權一種太赫茲頻段低損耗高集成度的芯片波導轉接結構是由郝張成;謝峰;繆卓偉設計研發完成，并于2023-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種太赫茲頻段低損耗高集成度的芯片波導轉接結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種太赫茲頻段低損耗高集成度的芯片波導轉接結構，包括水平放置的SiGe發射機芯片以及與SiGe發射機芯片垂直連接的階梯式波導；所述的SiGe發射機芯片包括片上折疊偶極子天線、連接SiGe發射機的有源電路輸出焊盤與片上折疊偶極子天線的一分二功率分配器、連接片上折疊偶極子天線與條狀貼片的金屬過孔；位于片上折疊偶極子天線下方Si介質中的局部背面蝕刻腔體、位于一分二功率分配器下方的日字型折線環；所述的階梯式波導包括一個矩形波導和其上方的WR4標準波導接口。本發明的結構實現了片上折疊偶極子天線在太赫茲頻段內的高增益和高輻射效率性能，階梯式波導結構簡單，機械強度好，裝配誤差小，可直接與太赫茲波導系統集成。

本發明授權一種太赫茲頻段低損耗高集成度的芯片波導轉接結構在權利要求書中公布了：1.一種太赫茲頻段低損耗高集成度的芯片波導轉接結構，其特征在于，所述的芯片波導轉接結構包括水平放置的SiGe發射機芯片（1）、位于SiGe發射機芯片（1）正上方與其垂直連接的階梯式波導（2）、環繞SiGe發射機芯片（1）的PCB饋電網絡介質基板（3）、位于PCB饋電網絡介質基板（3）下方水平放置的金屬底座（4）；所述SiGe發射機芯片（1）包括水平放置的SiO2介質（5）、位于SiO2介質（5）下方水平放置的Si介質（6）以及包裹SiGe發射機芯片（1）的金屬保護環（7）；所述SiO2介質（5）內包含水平放置的七層金屬和金屬過孔（8），第一層金屬（5.1）包括片上折疊偶極子天線（5.2）、一分二功率分配器（5.3）、環繞片上折疊偶極子天線（5.2）的第一層開口折線環（5.4）、有源電路輸出焊盤（5.5），位于第一層金屬（5.1）下方的第二層金屬（5.6）包括第二層開口折線環（5.7），位于第二層金屬（5.6）下方的第三層金屬（5.8）包括第三層開口折線環（5.9），位于第三層金屬（5.8）下方的第四層金屬（5.10）包括第四層開口折線環（5.11），位于第四層金屬（5.10）下方的第五層金屬（5.12）包括第五層開口折線環（5.13），位于第五層金屬（5.12）下方的第六層金屬（5.14）包括第六層開口折線環（5.15），位于第六層金屬（5.14）下方的第七層金屬（5.16）包括日字型折線環（5.17）和條形貼片（5.18）；位于日字型折線環（5.17）開口區域（5.19）下方的Si介質（6）中包括局部背面蝕刻腔體（6.1）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東南大學，其通訊地址為：211102 江蘇省南京市江寧區東南大學路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。