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龍圖騰網恭喜深圳市匯芯通信技術有限公司申請的專利氮化鎵高電子遷移率晶體管外延晶圓及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117198879B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311266531.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權氮化鎵高電子遷移率晶體管外延晶圓及其制備方法是由李海濱;樊永輝;許明偉;樊曉兵設計研發完成，并于2023-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本氮化鎵高電子遷移率晶體管外延晶圓及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種氮化鎵高電子遷移率晶體管外延晶圓及其制備方法，該方法包括：在襯底上，依次外延生長一層InGaN或n+GaN犧牲層和一層GaNHEMT外延層；以InGaN或n+GaN犧牲層和GaNHEMT外延層為一個整體，在襯底上進行多次重復外延生長，最終在襯底上形成具有多個重復疊層的第一外延結構；在第一外延結構的外邊緣沉積介質層；將第一外延結構和介質層作為第一GaNHEMT外延晶圓?？梢?，第一GaNHEMT外延晶圓可以達到一次生長且多次使用的效果，以便做出成幾倍數量的GaNHEMT器件出來，從而有利于大幅降低GaNHEMT器件產品的成本。

本發明授權氮化鎵高電子遷移率晶體管外延晶圓及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵高電子遷移率晶體管外延晶圓制備方法，其特征在于，包括：在襯底上，依次外延生長一層氮化銦鎵InGaN或高摻雜濃度的N型氮化鎵n+GaN犧牲層和一層氮化鎵高電子遷移率晶體管GaNHEMT外延層，所述InGaN或n+GaN犧牲層用于GaNHEMT外延剝離；以所述InGaN或n+GaN犧牲層和所述GaNHEMT外延層為一個整體，在所述襯底上進行多次重復外延生長，最終在所述襯底上形成具有多個重復疊層的第一外延結構；在所述第一外延結構的外邊緣沉積介質層，所述介質層用于避免在當前外延剝離腐蝕時腐蝕更下層的所述InGaN或n+GaN犧牲層；將所述第一外延結構和所述介質層作為第一GaNHEMT外延晶圓；其中，所述第一GaNHEMT外延晶圓用于按照從最上層往最下層的順序依次使用每個所述GaNHEMT外延層來制備GaNHEMT器件，再使用所述InGaN或n+GaN犧牲層來進行外延剝離，直到所有所述GaNHEMT外延層使用并剝離完畢，最后回收所述襯底；使用所述第一GaNHEMT外延晶圓中的當前GaNHEMT外延層制備當前GaNHEMT器件，并在制備所述當前GaNHEMT器件的金屬線接觸引線焊盤工藝中的涂膠工藝不做去邊處理以保護所述介質層；在完成所述當前GaNHEMT器件的正面工藝之后，在所述當前GaNHEMT外延層上形成當前器件結構層，所述當前GaNHEMT器件是由所述當前GaNHEMT外延層和所述當前器件結構層所組成的；采用刻蝕工藝刻蝕所述當前器件結構層和所述當前GaNHEMT外延層以露出當前InGaN或n+GaN犧牲層，所述當前InGaN或n+GaN犧牲層在所述第一GaNHEMT外延晶圓中處于所述當前GaNHEMT外延層的下一層；采用腐蝕工藝去除所述當前InGaN或n+GaN犧牲層，使得所述當前器件結構層和所述當前GaNHEMT外延層從所述第一GaNHEMT外延晶圓上剝離。

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