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龍圖騰網恭喜成都萬應微電子有限公司申請的專利多層芯片基板及封裝方法、多功能芯片封裝方法及晶圓獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110957306B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811128123.8，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權多層芯片基板及封裝方法、多功能芯片封裝方法及晶圓是由孫美蘭;黃玲玲設計研發完成，并于2018-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本多層芯片基板及封裝方法、多功能芯片封裝方法及晶圓在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多層芯片基板及封裝方法、多功能芯片封裝方法及晶圓，該多層芯片基板封裝方法包括在可拆分的帶有銅箔的承載板的底部和頂部分別制作線路層；制作金屬柱和第一通孔；將微凸塊芯片和大焊球芯片倒裝焊接在線路層上，并置于第一通孔內，且大焊球芯片覆蓋微凸塊芯片的表面，金屬柱的高度大于大焊球芯片的高度；制作第一有機樹脂層；切除第一有機樹脂層，裸露出金屬柱；制作金屬層和至少一層第一內層線路層；制作第一阻焊層；將多層芯片圓片與承載板拆分，并裸露出銅箔；去除銅箔，裸露出線路層。實施本發明，通過將微凸塊芯片和大焊球芯片采用扇出型封裝，形成多層芯片基板，提高工藝效率和集成度，減小結構模塊的尺寸，降低封裝成本。

本發明授權多層芯片基板及封裝方法、多功能芯片封裝方法及晶圓在權利要求書中公布了：1.一種多層芯片基板封裝方法，其特征在于，包括：在可拆分的帶有銅箔的承載板的底部和頂部分別制作線路層：在所述承載板的底部和頂部分別制作第二內層線路層，并在所述第二內層線路層上制作穿透所述第二內層線路層的第二通孔，并裸露出所述銅箔；制作覆蓋所述第二內層線路層的介質層；在所述第二通孔對應的位置去除所述介質層形成盲孔；在所述盲孔對應的位置制作至少一層外層線路層，使所述外層線路層與所述第二內層線路層電互連；制作覆蓋所述外層線路層的第二阻焊層，形成所述線路層；在所述線路層上制作金屬柱，并在所述金屬柱上制作第一通孔，所述金屬柱與所述線路層電互連；將微凸塊芯片和大焊球芯片倒裝焊接在所述線路層上，所述微凸塊芯片和所述大焊球芯片置于所述第一通孔內，且所述大焊球芯片覆蓋所述微凸塊芯片的表面，所述金屬柱的高度大于所述大焊球芯片的高度；將所述微凸塊芯片和所述大焊球芯片埋置在第一有機樹脂層內，得到多層芯片圓片；切除所述第一有機樹脂層，裸露出所述金屬柱；制作覆蓋所述第一有機樹脂層的金屬層，并制作至少一層覆蓋所述金屬層的第一內層線路層；制作覆蓋所述第一內層線路層的第一阻焊層；在所述承載板的可拆分處將所述多層芯片圓片與所述承載板拆分，并裸露出所述銅箔；去除所述銅箔，裸露出所述線路層，得到多層芯片基板。

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