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龍圖騰網(wǎng)恭喜英飛凌科技股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利制造包括第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分和第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分的半導(dǎo)體器件的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN109841514B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201811443364.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/01；該發(fā)明授權(quán)制造包括第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分和第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分的半導(dǎo)體器件的方法是由H-J.舒爾策;F-J.尼德諾斯泰德;O.J.施普爾伯;S.福斯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-11-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本制造包括第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分和第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分的半導(dǎo)體器件的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：公開(kāi)了制造包括第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分和第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分的半導(dǎo)體器件的方法。包括在半導(dǎo)體襯底上形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分。在第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分上形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的漂移區(qū)帶。漂移區(qū)帶的平均摻雜濃度小于第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分的平均摻雜濃度的80%。在第一表面處處理半導(dǎo)體主體。通過(guò)從與第一表面相對(duì)的第二表面移除半導(dǎo)體襯底的材料來(lái)進(jìn)行薄化。通過(guò)將處在一個(gè)或多個(gè)能量的質(zhì)子通過(guò)第二表面注入到半導(dǎo)體主體中來(lái)形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分。質(zhì)子的最深的范圍邊界峰值按在從3μm到60μm的范圍中的距漂移區(qū)帶與第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分之間的過(guò)渡部的豎向距離設(shè)置于第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分中。通過(guò)熱處理來(lái)對(duì)半導(dǎo)體主體進(jìn)行退火。

本發(fā)明授權(quán)制造包括第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分和第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分的半導(dǎo)體器件的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種在半導(dǎo)體主體中制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分；在所述第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分上形成所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的漂移區(qū)帶，其中所述漂移區(qū)帶的平均摻雜濃度被設(shè)置為小于所述第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分的平均摻雜濃度的80％；在所述半導(dǎo)體主體的第一表面處處理所述半導(dǎo)體主體；通過(guò)從所述半導(dǎo)體主體的與所述第一表面相對(duì)的第二表面移除所述半導(dǎo)體襯底的材料來(lái)對(duì)所述半導(dǎo)體主體進(jìn)行薄化；通過(guò)將處在一個(gè)或多個(gè)能量的質(zhì)子通過(guò)所述第二表面注入到所述半導(dǎo)體主體中來(lái)形成所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分，其中，質(zhì)子的最深的范圍邊界峰值按在從3μm到60μm的范圍中的距所述漂移區(qū)帶與所述第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分之間的過(guò)渡部的豎向距離設(shè)置于所述第一場(chǎng)終止區(qū)帶部分中；以及通過(guò)熱處理來(lái)對(duì)所述半導(dǎo)體主體進(jìn)行退火，其中第二場(chǎng)終止區(qū)帶部分的質(zhì)子是以至少三個(gè)不同的離子注入能量注入的。

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