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龍圖騰網恭喜中電晶華(天津)半導體材料有限公司申請的專利一種功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119194606B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411724880.7，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片及其制備方法是由李明達;龔一夫;秦濤;傅穎潔;劉云;彭永純;耿月嬌;趙揚;李楊;邊娜;龐偉龍;翟玥設計研發完成，并于2024-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片及其制備方法：S1：對硅外延爐中的石墨基座包硅；S2：將硅襯底片置于石墨基座上；S3：采用氫氣攜帶三氯氫硅作為生長硅源，在硅襯底片上進行未摻雜硅外延層的生長，S4：通過第一條摻雜管路向反應腔體送入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅；S5：通過第二條摻雜管路向反應腔體送入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅，得到功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片。該方法可用于超重摻磷襯底多層硅外延片的工業化批量生產。

本發明授權一種功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片的制備方法，其特征在于，包括依次進行如下步驟：S1：對硅外延爐中的石墨基座進行包硅，所述石墨基座的包硅厚度為5~6μm；所述步驟S1具體包括以下步驟：對反應腔體通入氫氣攜帶三氯氫硅，在反應腔體內的石墨基座上生長多晶硅包覆層，完成石墨基座的包硅，其中，氫氣的流量為45~50Lmin，三氯氫硅的流量為10~12gmin；S2：將硅襯底片置于所述石墨基座上；S3：采用氫氣攜帶三氯氫硅作為生長硅源，在所述硅襯底片的拋光表面上進行未摻雜硅外延層的生長，三氯氫硅的流量為7~8gmin，氫氣流量為45~50Lmin，未摻雜硅外延層的目標生長厚度為0.5~0.6μm；S4：通過反應腔體配置的第一條摻雜管路向反應腔體送入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅，在未摻雜硅外延層的表面進行摻雜硅外延內層的生長，達到摻雜硅外延內層目標厚度和電阻率；其中，三氯氫硅的流量為7~8gmin，摻雜磷烷的流量為220~250sccm，生長速率為3.0~3.5μmmin；S5：通過反應腔體配置的第二條摻雜管路向反應腔體送入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅，在摻雜硅外延內層的表面進行摻雜硅外延外層的生長，達到摻雜硅外延外層目標厚度和電阻率，其中，三氯氫硅的流量為10~12gmin，摻雜磷烷的流量為110~120sccm，生長速率為3.6~4.0μmmin，得到功率器件用超重摻磷襯底多層硅外延片；在步驟S3之前，對反應腔體進行第一吹掃；所述第一吹掃具體包括以下步驟：將硅外延爐的反應腔體升溫至1130~1150℃，保持3~5min，對所述硅襯底片進行烘烤，同時通入氫氣，對反應腔體進行吹掃；在步驟S4之前，對反應腔體進行第二吹掃；所述第二吹掃具體包括以下步驟：通入氫氣吹掃反應腔體，并將反應腔體的溫度降低為1110~1120℃，氫氣吹掃反應腔體的時間5~8min；步驟S4中，在向反應腔體送入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅之前，還通過通入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅對第一條摻雜管路進行排空；在步驟S5之前，對反應腔體進行第三吹掃；所述第三吹掃具體包括以下步驟：通入氫氣吹掃反應腔體3~5min；步驟S5中，在向反應腔體送入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅之前，還通過通入摻雜磷烷氣、氫氣、三氯氫硅對第二條摻雜管路進行排空。

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