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當(dāng)前位置 : 首頁 > 專利喜報(bào) > 恭喜杭州電子科技大學(xué);淄博齊林電力工程有限公司張雪峰獲國(guó)家專利權(quán)

恭喜杭州電子科技大學(xué);淄博齊林電力工程有限公司張雪峰獲國(guó)家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜杭州電子科技大學(xué);淄博齊林電力工程有限公司申請(qǐng)的專利一種同步降低FeSiAl磁粉芯磁滯損耗和渦流損耗的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119296948B

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202411804798.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01F41/02;該發(fā)明授權(quán)一種同步降低FeSiAl磁粉芯磁滯損耗和渦流損耗的方法是由張雪峰;李紅霞;劉凱;趙榮志設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-12-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

一種同步降低FeSiAl磁粉芯磁滯損耗和渦流損耗的方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開一種同步降低FeSiAl磁粉芯磁滯損耗和渦流損耗的方法,包括以下步驟:配制金屬M(fèi)的鹽類溶液,所述金屬M(fèi)為原子半徑與Al原子不相等的低熔點(diǎn)金屬,且與Al能形成置換固溶體;將鹽類溶液加入到FeSiAl磁粉芯中,烘干后得到絕緣包覆好的磁粉芯,然后加入粘結(jié)劑和潤(rùn)滑劑,制成待成型磁粉;將待成型磁粉壓制成型,熱處理后獲得磁粉芯。本發(fā)明通過低熔點(diǎn)M原子向FeSiAl基體內(nèi)擴(kuò)散并占據(jù)Al空位,在退火過程中可以減輕晶格畸變,從而降低矯頑力和磁滯損耗;更重要的是,M原子摻入FeSiAl后基體電阻率升高,可以有效抑制顆粒內(nèi)渦流損耗,同時(shí),原位氧化生成的Al2O3包覆層可以有效隔離顆粒間渦流損耗,因此,本發(fā)明方法實(shí)現(xiàn)了同步降低磁滯損耗和渦流損耗。

本發(fā)明授權(quán)一種同步降低FeSiAl磁粉芯磁滯損耗和渦流損耗的方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種同步降低FeSiAl磁粉芯磁滯損耗和渦流損耗的方法,包括以下步驟:步驟(1)、絕緣包覆:對(duì)磁粉芯進(jìn)行絕緣包覆,獲得待成型磁粉;步驟(2)、壓制成型:將步驟(1)所得待成型磁粉壓制成坯體;步驟(3)、熱處理:將步驟(2)所得坯體在惰性氣氛中進(jìn)行熱處理,最后經(jīng)冷卻、噴涂得到FeSiAl:MAl2O3磁粉芯;其特征在于,步驟(1)具體為:1.1將重量份數(shù)為0.05~3份的金屬M(fèi)鹽溶于溶劑,配制得到金屬M(fèi)的鹽類溶液;所述金屬M(fèi)為原子半徑與Al原子不相等的低熔點(diǎn)金屬,且與Al能夠形成置換固溶體,具體為Sn、Bi或In;1.2將金屬M(fèi)的鹽類溶液加入到重量份數(shù)為100份的FeSiAl磁粉芯中,烘干后得到絕緣包覆好的磁粉芯;1.3將重量份數(shù)為0.5~2份的粘結(jié)劑溶于重量份數(shù)為1.5~6份有機(jī)溶劑后加入到上述絕緣包覆好的磁粉芯中,充分?jǐn)嚢韬蠛娓桑?.4待上述磁粉芯冷卻后加入重量份數(shù)為0.5~1.5份的潤(rùn)滑劑,充分?jǐn)嚢韬笾瞥纱尚痛欧邸?

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人杭州電子科技大學(xué);淄博齊林電力工程有限公司,其通訊地址為:310018 浙江省杭州市下沙高教園區(qū)2號(hào)大街;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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