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龍圖騰網恭喜廣東工業大學申請的專利一種二維Te/ReSe₂變角度異質結光電探測器及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119562611B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510112402.9，技術領域涉及：H10F30/222；該發明授權一種二維Te/ReSe₂變角度異質結光電探測器及其制備方法和應用是由鄭照強;蒲作城;全華文;招瑜設計研發完成，并于2025-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種二維Te/ReSe₂變角度異質結光電探測器及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開一種二維TeReSe2變角度異質結光電探測器及其制備方法和應用，屬于半導體器件技術領域。所述二維TeReSe2變角度異質結光電探測器由下至上依次為SiSiO2襯底、Te層和ReSe2層，其中，所述ReSe2層與所述Te層形成不同角度的范德華異質結。本發明通過CVD方法、PMMA濕法轉移、PVA干法轉移、光刻鍍金、高溫退火處理等方法，實現光電探測器功能的定制化，獲得具有豐富偏振特性的多角度異質結器件。基于器件不同的偏振敏感特性可實現入射光的偏振光方向和強度的同時檢測、加密解密以及偏振成像的功能。

本發明授權一種二維Te/ReSe₂變角度異質結光電探測器及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種二維TeReSe2變角度異質結光電探測器，其特征在于，由下至上依次為SiSiO2襯底、Te層和ReSe2層，其中，所述ReSe2層與所述Te層形成不同角度的范德華異質結；所述二維TeReSe2變角度異質結光電探測器的制備方法，包括以下步驟：采用化學氣相沉積法，在云母襯底上生長Te材料，然后通過聚甲基丙烯酸甲酯濕法轉移法將Te材料轉移到SiSiO2襯底上；采用機械剝離法將ReSe2材料黏附到另外一個SiSiO2襯底上，然后采用聚乙烯醇干法轉移法將黏附在SiSiO2襯底上的ReSe2材料按照不同角度和順序轉移到含有Te材料的SiSiO2襯底上，制備得到具有不同接觸角度的TeReSe2異質結結構；通過無掩膜光刻和顯影，在含有TeReSe2異質結結構的SiSiO2襯底上制備所需的電極圖案，然后在所得電極圖案掩膜上蒸鍍金屬，形成電極；用丙酮去除掉光刻膠，真空高溫退火，獲得具有不同接觸角度的TeReSe2器件，即二維TeReSe2變角度異質結光電探測器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東工業大學，其通訊地址為：510030 廣東省廣州市越秀區東風東路729號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。