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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體器件的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119653821B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510179826.7，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種半導體器件的形成方法是由宋聰強;施平;徐銳;劉鎮設計研發完成，并于2025-02-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件的形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件的形成方法，通過在去除所述中壓區的墊氧化層的同時去除高壓區的源區和漏區的墊氧化層，而非在刻蝕第二柵氧層時一并去除墊氧化層造成的墊氧化層殘留，從而去除了具有鳥嘴缺陷的墊氧化層，即后續在形成柵極結構的刻蝕中在高壓區的源區和漏區沒有殘留的墊氧化層存在，使得后續在高壓區的源區和漏區的半導體襯底上形成的金屬硅化物層沒有受到影響，還沒有影響后續在高壓區的源區和漏區上形成的插塞與襯底之間的接觸，從而沒有影響高壓器件的電性和可靠性。

本發明授權一種半導體器件的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：提供半導體襯底，所述半導體襯底具有相鄰設置的高壓區和中壓區，所述高壓區包括柵區、源區和漏區，所述柵區設置在所述源區和漏區之間，且所述柵區的半導體襯底上設置有第一柵氧層，所述源區、漏區和中壓區的半導體襯底上設置有墊氧化層，所述源區的墊氧化層以及所述漏區的墊氧化層在靠近所述第一柵氧層的一側上具有鳥嘴缺陷；通過沉積工藝在所述墊氧化層和第一柵氧層上形成第二氮化硅層；刻蝕所述第二氮化硅層，并保留所述柵區的第二氮化硅層，同時暴露出所述中壓區、所述高壓區的源區和漏區的墊氧化層；刻蝕去除所述柵區的第二氮化硅層，以暴露出所述第一柵氧層；在所述中壓區的半導體襯底上依次形成第二柵氧層和多晶硅膜層，所述第二柵氧層的部分還覆蓋所述高壓區的源區和漏區的半導體襯底，以及所述第一柵氧層，所述多晶硅膜層覆蓋所述第二柵氧層；依次刻蝕所述多晶硅膜層和第二柵氧層，以在所述柵區形成高壓柵極結構，在所述中壓區形成中壓柵極結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。