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龍圖騰網恭喜深圳市宇創顯示科技有限公司申請的專利一種偏光片的檢測方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119688246B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510224117.6，技術領域涉及：G01M11/00；該發明授權一種偏光片的檢測方法及裝置是由趙金寶;趙金強;解蕊設計研發完成，并于2025-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種偏光片的檢測方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明公開一種偏光片的檢測方法及裝置，方法包括：采用寬頻介電譜測定偏光片的電介質特性，分析介電特性隨頻率的變化曲線，確定偏光片的敏感區域分布；在敏感區域施加頻率調制聲學信號，測定表面電勢變化特性，獲取防靜電層或導電層的電荷分布狀態；保持頻率調制聲學信號，采用雙探針差分測量模式對偏光片進行掃描，根據電勢差與聲學信號的相位關系確定電場分布；測定異常電場區域正交偏振態光的透過特性，分析偏振分量的強度比值和相位差；基于電荷分布狀態、電場分布和偏振態光的透過特性，分析防靜電層或導電層中的雜散電場分布及其對偏光片光學性能的影響。本發明技術方案能夠提升偏光片檢測的精度與可重復性。

本發明授權一種偏光片的檢測方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種偏光片的檢測方法，其特征在于，所述偏光片包括防靜電層或導電層，所述偏光片的檢測方法包括：采用寬頻介電譜測定偏光片的電介質特性，分析介電特性隨頻率的變化曲線，確定偏光片的敏感區域分布；所述采用寬頻介電譜測定偏光片的電介質特性，分析介電特性隨頻率的變化曲線，確定偏光片的敏感區域分布，包括：對偏光片進行網格化分區，測定各分區在1Hz至10MHz頻率范圍內的介電常數和介電損耗；根據所述介電常數和介電損耗計算相鄰分區的介電特性差值，獲取偏光片的介電特性空間分布；在相對濕度25%~35%和相對濕度55%~65%條件下分別測定所述介電特性空間分布，獲取介電特性的濕度響應數據；對介電損耗差值超過預設閾值的分區進行1Hz至10MHz范圍內的連續頻率掃描，測定介電損耗的頻率響應曲線；根據所述介電特性空間分布、濕度響應數據和頻率響應曲線，確定偏光片的敏感區域分布；在敏感區域施加頻率調制聲學信號，測定表面電勢變化特性，獲取所述防靜電層或導電層的電荷分布狀態；保持所述頻率調制聲學信號，采用雙探針差分測量模式對偏光片進行掃描，根據電勢差與聲學信號的相位關系確定電場分布；所述保持所述頻率調制聲學信號，采用雙探針差分測量模式對偏光片進行掃描，根據電勢差與聲學信號的相位關系確定電場分布，包括：在穩定區域設置參考探針，測定聲學信號調制下的參考電勢動態響應；對偏光片進行螺旋路徑掃描，獲取各掃描點電勢動態變化數據；根據所述參考電勢動態響應和電勢動態變化數據，計算各掃描點的電勢差動態特征；對所述電勢差動態特征進行相位分析，獲取電荷遷移響應分布；根據所述電荷遷移響應分布確定偏光片的電場分布；在確定的異常電場區域，測定正交偏振態光的透過特性，分析偏振分量的強度比值和相位差；基于所述電荷分布狀態、電場分布和正交偏振態光的透過特性，分析所述防靜電層或導電層中的雜散電場分布及其對偏光片光學性能的影響；所述基于所述電荷分布狀態、電場分布和正交偏振態光的透過特性，分析所述防靜電層或導電層中的雜散電場分布及其對偏光片光學性能的影響，包括：根據所述電荷分布狀態和所述電場分布的空間對應關系，計算電荷-電場耦合系數，獲取所述防靜電層或導電層中的異常電場區域分布數據；對所述異常電場區域分布數據進行層向分析，獲取所述防靜電層或導電層在不同深度的雜散電場分布特征；根據所述正交偏振態光的透過特性，對所述雜散電場分布特征進行校正，得到所述防靜電層或導電層的本征電場分布數據；對所述電荷分布狀態進行連續采樣分析，獲取所述防靜電層或導電層中的電荷遷移特征數據；根據所述電荷遷移特征數據對所述本征電場分布數據進行修正，得到所述防靜電層或導電層中的雜散電場時變分布特征；根據所述雜散電場時變分布特征對所述正交偏振態光的透過特性進行分析，獲取偏光片的透過率衰減數據和消光比變化數據。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市宇創顯示科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍華區觀瀾街道黎光社區黎光新工業區15號(廠房1)201；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。