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龍圖騰網恭喜湖南融創微電子股份有限公司申請的專利抗輻照芯片設計方法、裝置、計算機設備和存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119740412B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510262432.8，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權抗輻照芯片設計方法、裝置、計算機設備和存儲介質是由房盼攀;劉祥遠;孫自強設計研發完成，并于2025-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本抗輻照芯片設計方法、裝置、計算機設備和存儲介質在說明書摘要公布了：為解決現有技術中抗輻照芯片設計面積消耗大、周期長、成本高以及抗輻照性能不高的問題，本發明提出抗輻照芯片設計方法、裝置、計算機設備和存儲介質。所述方法包括：找到TapCell和標準單元之間最大距離；通過建立含有TapCell的器件級SEL仿真模型，找到抗SEL的TapCell插入距離；通過建立單元級SET仿真模型，找到同時抗SEL和抗SET的TapCell插入間距，作為依據在版圖中進行TapCell和標準單元的重新布局，完成芯片版圖設計。該設計方法利用TapCell插入間距對SEL和SET敏感性造成差異的性質，提升設計芯片抗輻照性能的同時，兼顧了設計的成本和周期。

本發明授權抗輻照芯片設計方法、裝置、計算機設備和存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種抗輻照芯片設計方法，其特征在于，包括：步驟S110：依據工藝廠商提供的工藝設計文件，確定芯片后端設計時TapCell版圖插入規則，并根據所述TapCell版圖插入規則獲取TapCell和標準單元之間的最大距離值；步驟S120：通過搭建含有TapCell的器件級SEL仿真模型，并利用所述最大距離值，找到滿足抗SEL需求的TapCell插入距離；步驟S130：通過搭建含有TapCell的單元級SET仿真模型，并利用所述TapCell插入距離，獲取同時滿足抗SEL和抗SET需求的TapCell插入間距；步驟S140：依照所述TapCell插入間距在芯片版圖中進行TapCell交錯布局，并使用EDA工具完成芯片版圖中其他標準單元的布局布線，形成整體芯片的版圖設計。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南融創微電子股份有限公司，其通訊地址為：410205 湖南省長沙市長沙高新開發區尖山路18號中電軟件園二期第A5棟1層101號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。