恭喜艾利迪公司蒂費納·杜邦獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜艾利迪公司申請的專利包括二極管陣列的光電子器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112292764B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980041716.7，技術領域涉及：H10H20/813；該發明授權包括二極管陣列的光電子器件是由蒂費納·杜邦;伊萬-克里斯多夫·羅賓設計研發完成，并于2019-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括二極管陣列的光電子器件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種光電子器件，其包括軸向二極管100的矩陣200，每個二極管形成諧振腔，在該諧振腔中形成有定態電磁駐波，每個發光二極管包括基本上位于電磁波的極值110水平上的有源區域104，該矩陣形成光子晶體，所述光子晶體被配置為最大化由該二極管陣列提供的電磁輻射的強度。
本發明授權包括二極管陣列的光電子器件在權利要求書中公布了：1.一種光電子器件，包括軸向二極管100的陣列200，每個二極管形成諧振腔，在所述諧振腔中形成有電磁駐波，每個發光二極管包括基本上位于所述電磁駐波的極值110水平上的有源區域104，所述陣列形成光子晶體，所述光子晶體被配置為最大化由所述二極管陣列提供的電磁輻射的強度，其中所述陣列200包括上面擱置所述二極管100的支撐件105、310，每個二極管包括擱置在所述支撐件上的第一半導體區域102、與所述第一半導體區域接觸的所述有源區域104以及與所述有源區域接觸的第二半導體區域106的堆疊，所述器件包括位于所述支撐件105、310與所述二極管的所述第一半導體區域102之間的接合到所述支撐件的反射層107、308。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人艾利迪公司，其通訊地址為：法國埃希羅萊；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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