恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司李昆穆獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110957272B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910891887.0，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體裝置的制造方法是由李昆穆;李彥儒;宋學昌設計研發完成，并于2019-09-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種半導體裝置的制造方法，可在第一虛設柵極與第二虛設柵極之間設置半導體層內的第一凹陷。在第一虛設柵極的側壁上形成第一間隙物，以及在第二虛設柵極的側壁上形成第二間隙物。第一和第二間隙物形成接觸第一凹陷的底面的三角形間隙物延伸部。在形成第一和第二間隙物之后，在半導體層內形成設置在第一虛設柵極與第二虛設柵極之間的第二凹陷。在第二凹陷內外延成長源漏極區。
本發明授權半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，包括：在一半導體層上形成一第一虛設柵極和一第二虛設柵極；使用該第一虛設柵極和該第二虛設柵極作為一第一遮罩蝕刻該半導體層，其中蝕刻該半導體層在該半導體層內形成設置在該第一虛設柵極與該第二虛設柵極之間的一第一凹陷；在該第一虛設柵極的側壁上形成一第一間隙物，且在該第二虛設柵極的側壁上形成一第二間隙物，其中該第一間隙物和該第二間隙物形成接觸該第一凹陷的一底面的三角形間隙物延伸部；在形成該第一間隙物和該第二間隙物之后，在該半導體層內形成設置在該第一虛設柵極與該第二虛設柵極之間的一第二凹陷；以及在該第二凹陷內形成一源漏極區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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