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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110957272B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910891887.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置的制造方法是由李昆穆;李彥儒;宋學(xué)昌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，可在第一虛設(shè)柵極與第二虛設(shè)柵極之間設(shè)置半導(dǎo)體層內(nèi)的第一凹陷。在第一虛設(shè)柵極的側(cè)壁上形成第一間隙物，以及在第二虛設(shè)柵極的側(cè)壁上形成第二間隙物。第一和第二間隙物形成接觸第一凹陷的底面的三角形間隙物延伸部。在形成第一和第二間隙物之后，在半導(dǎo)體層內(nèi)形成設(shè)置在第一虛設(shè)柵極與第二虛設(shè)柵極之間的第二凹陷。在第二凹陷內(nèi)外延成長源漏極區(qū)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：在一半導(dǎo)體層上形成一第一虛設(shè)柵極和一第二虛設(shè)柵極；使用該第一虛設(shè)柵極和該第二虛設(shè)柵極作為一第一遮罩蝕刻該半導(dǎo)體層，其中蝕刻該半導(dǎo)體層在該半導(dǎo)體層內(nèi)形成設(shè)置在該第一虛設(shè)柵極與該第二虛設(shè)柵極之間的一第一凹陷；在該第一虛設(shè)柵極的側(cè)壁上形成一第一間隙物，且在該第二虛設(shè)柵極的側(cè)壁上形成一第二間隙物，其中該第一間隙物和該第二間隙物形成接觸該第一凹陷的一底面的三角形間隙物延伸部；在形成該第一間隙物和該第二間隙物之后，在該半導(dǎo)體層內(nèi)形成設(shè)置在該第一虛設(shè)柵極與該第二虛設(shè)柵極之間的一第二凹陷；以及在該第二凹陷內(nèi)形成一源漏極區(qū)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。