恭喜三星電子株式會社黃盛珉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利三維半導體存儲器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111180418B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911105606.0，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權三維半導體存儲器件及其制造方法是由黃盛珉;任峻成;金志榮;金智源;梁宇成設計研發完成，并于2019-11-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維半導體存儲器件及其制造方法在說明書摘要公布了：公開了三維半導體存儲器件及其制造方法。可以提供一種三維半導體存儲器件，包括：襯底，包括單元陣列區和連接區；電極結構，包括交替堆疊在襯底上的多個電極和多個介電層，電極結構在連接區上具有階梯部分；蝕刻停止結構，在電極結構的階梯部分上；以及多個接觸插塞，在連接區上，接觸插塞穿透蝕刻停止結構并且分別連接到電極的對應焊盤部分。蝕刻停止結構可以包括蝕刻停止圖案和水平介電層，水平介電層具有均勻的厚度并且覆蓋蝕刻停止圖案的頂表面和底表面。
本發明授權三維半導體存儲器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種三維半導體存儲器件，包括：襯底，包括單元陣列區和連接區；電極結構，包括交替堆疊在所述襯底上的多個電極和多個介電層，所述電極結構在所述連接區上具有階梯部分；蝕刻停止結構，在所述電極結構的階梯部分上；以及多個接觸插塞，在所述連接區上，所述多個接觸插塞穿透所述蝕刻停止結構并分別連接到所述多個電極的對應焊盤部分，其中所述蝕刻停止結構包括蝕刻停止圖案和水平介電層，所述水平介電層具有均勻的厚度并且覆蓋所述蝕刻停止圖案的頂表面和底表面，并且其中所述蝕刻停止圖案在其內部具有不連續界面，所述蝕刻停止圖案的所述不連續界面沿所述電極結構的所述階梯部分形成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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