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恭喜江陰長電先進封裝有限公司任奎麗獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜江陰長電先進封裝有限公司申請的專利一種芯片的封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN110931458B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201911392580.2,技術領域涉及:H01L23/538;該發明授權一種芯片的封裝結構及其封裝方法是由任奎麗;陳棟;張黎;陳錦輝;賴志明;張國棟設計研發完成,并于2019-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

一種芯片的封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種芯片的封裝結構及其封裝方法,屬于半導體芯片封裝技術領域。其由上而下包括芯片10、硅通孔11、再布線層14、金屬連接柱21和焊球24,將所述芯片10接受的信號向下傳輸;所述電極19下方的硅通孔11上下貫穿硅襯底12與再布線層14相固連,所述再布線層14的下方設置金屬連接柱21,所述金屬連接柱21的縱向剖面呈梯形狀;所述包封料層20包封再布線層14和金屬連接柱21,所述焊球24與金屬連接柱21的下表面固連。本發明提供了一種既不增加硅片厚度,又能提高封裝后芯片的機械強度的封裝結構及封裝方法。

本發明授權一種芯片的封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了:1.一種芯片的封裝結構,其特征在于,其由上而下包括芯片10、硅通孔11、再布線層14、金屬連接柱21和焊球24,將所述芯片10接受的信號向下傳輸;所述芯片10包括硅襯底12、電極19和功能區,所述芯片厚度為50-150微米,所述電極19和功能區設置在硅襯底12的正面,所述再布線層14設置在芯片10的背面,所述電極19下方設有用于傳輸信號的若干個硅通孔11,所述硅通孔11上下貫穿硅襯底12與再布線層14相固連,所述再布線層14的下方設置金屬連接柱21,所述金屬連接柱21的縱向剖面呈梯形狀;還包括直接覆蓋于所述芯片的背面的包封料層20,所述包封料層20包封再布線層14和金屬連接柱21,所述金屬連接柱21的下表面與包封料層20的背面相齊平,并露出金屬連接柱21的下表面,所述焊球24與金屬連接柱21的下表面固連。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人江陰長電先進封裝有限公司,其通訊地址為:214434 江蘇省無錫市江陰市高新技術產業開發園區(澄江東路100號);或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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