恭喜華為技術有限公司范魯明獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利晶圓堆疊結構及其測試方法、高寬帶內存及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114830310B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080087981.1,技術領域涉及:H01L21/66;該發明授權晶圓堆疊結構及其測試方法、高寬帶內存及其制備方法是由范魯明;劉燕翔設計研發完成,并于2020-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶圓堆疊結構及其測試方法、高寬帶內存及其制備方法在說明書摘要公布了:一種晶圓堆疊結構及其測試方法、高寬帶內存及其制備方法,涉及半導體存儲技術領域,能夠解決現有技術中晶圓堆疊結構的生產良率低,導致高寬帶內存生產成本高的問題。測試方法對晶圓堆疊結構進行測試,晶圓堆疊結構中的邏輯晶圓10和多層存儲晶圓20通過總線30連接,總線30記錄晶圓堆疊結構中各存儲晶圓20的層級地址,探針40讀取與待測的三維層數地址對應的層級地址及探測信息,能夠對切割單元201在晶圓堆疊結構中的連接狀態進行調整,使得切割獲得的高寬帶內存,對劣品的存儲芯片所在層級尋址屏蔽,從而調整高寬帶內存實際可存儲容量,提供多種減除部分容量的高寬帶內存。
本發明授權晶圓堆疊結構及其測試方法、高寬帶內存及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種晶圓堆疊結構的測試方法,其特征在于,所述方法應用于測試機,所述測試機用于測試晶圓堆疊結構,所述晶圓堆疊結構包括依次堆疊的邏輯晶圓和多層存儲晶圓,所述邏輯晶圓和所述多層存儲晶圓通過總線連接,所述邏輯晶圓上包括有與多層所述存儲晶圓之間通過所述總線傳輸層級地址的層級地址端口,所述測試機的探針用于與所述邏輯晶圓連接,所述方法包括:獲取待測的三維層數地址,所述三維層數地址用于分別指示多層存儲晶圓中每一層存儲晶圓對應的層級地址;根據所述三維層數地址,探針通過所述邏輯晶圓的層級地址端口經所述總線讀取所述三維層數地址對應的層級地址的存儲晶圓的探測信息,所述探測信息用于指示所述三維層數地址所對應存儲晶圓中切割單元的優劣。
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