恭喜恩特格里斯公司D·M·埃默特獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜恩特格里斯公司申請的專利VI族前驅物化合物獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113490764B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080017228.5，技術領域涉及：C23C16/18；該發明授權VI族前驅物化合物是由D·M·埃默特;T·H·鮑姆;R·小賴特設計研發完成，并于2020-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本VI族前驅物化合物在說明書摘要公布了：本發明提供用于制備各種VI族前驅物化合物的簡便方法，所述VI族前驅物化合物可用于將這類VI族金屬氣相沉積于固體襯底、尤其微電子半導體裝置襯底上。所述方法提供獲得這類揮發性材料的有效手段，然后所述揮發性材料可作為要沉積于所述襯底上的含鉬、鉻或鎢的材料的來源。另外，本發明提供用于將所述化合物氣相沉積于微電子裝置襯底上的方法。
本發明授權VI族前驅物化合物在權利要求書中公布了：1.一種在襯底上形成材料的方法，其包含使所述襯底與式I化合物接觸 其中M為鉬，X為氯，并且L1和L2為乙腈；和在氣相沉積條件下將含鉬的材料沉積于所述襯底上，其中所述式I化合物具有斜方晶系且單位晶胞尺寸為 α＝90° β＝90° γ＝90°。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人恩特格里斯公司，其通訊地址為：美國馬薩諸塞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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