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龍圖騰網恭喜東京毅力科創株式會社申請的專利蝕刻方法和等離子體處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111799170B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010221800.1，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權蝕刻方法和等離子體處理裝置是由后平拓;田所昌洋設計研發完成，并于2020-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本蝕刻方法和等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種蝕刻方法，將被加工物的溫度維持為?30℃以上30℃以下，并在令蝕刻所用的一個或多個氟碳氣體中的第i氟碳氣體的流量為Ji，該氣體的元素組成中氟原子、碳原子各自的個數為Mi、Ni，對于i可取的所有的值，對所有的Ji×NiMi求和而得的值為Ua，蝕刻所用的一個或多個含氫氣體中的第k含氫氣體的流量為Jk，第k含氫氣體的元素組成中氫原子的個數為Hk，對于k可取的所有的值，對所有的Jk×Hk求和而得的值為Ub的情況下，使UaUb滿足0.04＜UaUb＜0.22。由此，對包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能夠通過兩種膜共通的條件一次性進行蝕刻。

本發明授權蝕刻方法和等離子體處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種被加工物的蝕刻方法，其特征在于：在設置于等離子體處理裝置的處理容器內的載置臺上載置被加工物，進行將所述被加工物的溫度維持在預先設定的溫度范圍內的設定，一邊將所述被加工物的溫度維持在所述溫度范圍內，一邊在所述處理容器內生成處理氣體的等離子體，并使用該等離子體對所述被加工物進行蝕刻處理，所述被加工物包含硅氧化物膜和硅氮化物膜，所述處理氣體包含第1氣體和第2氣體，所述第1氣體是氟碳氣體，所述溫度范圍是-30℃以上30℃以下，所述第1氣體包含p個種類的第1氟碳氣體~第p氟碳氣體，其中p為1以上的整數，所述第2氣體包含q個種類的第1含氫氣體~第q含氫氣體，其中q為1以上的整數，令所述第1氟碳氣體~第p氟碳氣體所包含的第i氟碳氣體在所述蝕刻處理的執行過程中的流量為J（i），該第i氟碳氣體的元素組成所包含的氟原子的個數為M（i），該第i氟碳氣體的元素組成所包含的碳原子的個數為N（i），對于i可取的所有的值，對所有的J（i）×N（i）M（i）求和而得的值為Ua，令所述第1含氫氣體~第q含氫氣體所包含的第k含氫氣體在該蝕刻處理的執行過程中的流量為J（k），該第k含氫氣體的元素組成所包含的氫原子的個數為H（k），對于k可取的所有的值，對所有的J（k）×H（k）求和而得的值為Ub的情況下，UaUb滿足0.04＜UaUb＜0.22，其中i為1以上p以下的整數，k為1以上q以下的整數，所述第2氣體是H2氣體、CH4氣體中的任一氣體，或者H2氣體和CH4氣體的混合氣體。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。