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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利雙摻雜源極/漏極區(qū)域及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113270370B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010894439.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)雙摻雜源極/漏極區(qū)域及其形成方法是由林育樟;張?zhí)硭?聶俊峰;張惠政;楊育佳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本雙摻雜源極/漏極區(qū)域及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及雙摻雜源極漏極區(qū)域及其形成方法。一種方法包括：在半導(dǎo)體鰭中形成源極漏極區(qū)域；在形成所述源極漏極區(qū)域之后，將第一雜質(zhì)注入所述源極漏極區(qū)域；以及在注入所述第一雜質(zhì)之后，將第二雜質(zhì)注入所述源極漏極區(qū)域。所述第一雜質(zhì)具有比所述第二雜質(zhì)更低的生成焓。所述方法還包括：在注入所述第二雜質(zhì)之后，對(duì)所述源極漏極區(qū)域進(jìn)行退火。

本發(fā)明授權(quán)雙摻雜源極/漏極區(qū)域及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：在半導(dǎo)體鰭中形成源極漏極區(qū)域；在形成所述源極漏極區(qū)域之后，將第一雜質(zhì)注入所述源極漏極區(qū)域；在注入所述第一雜質(zhì)之后，將第二雜質(zhì)注入所述源極漏極區(qū)域，其中，所述第一雜質(zhì)具有比所述第二雜質(zhì)更低的生成焓；以及在注入所述第二雜質(zhì)之后，對(duì)所述源極漏極區(qū)域進(jìn)行退火，其中，形成所述源極漏極區(qū)域包括：在所述半導(dǎo)體鰭中蝕刻凹槽；在所述凹槽中外延生長(zhǎng)第一外延區(qū)域；在外延生長(zhǎng)所述第一外延區(qū)域時(shí)，用第三雜質(zhì)原位摻雜所述第一外延區(qū)域；在所述凹槽中和所述第一外延區(qū)域之上外延生長(zhǎng)第二外延區(qū)域；以及在外延生長(zhǎng)所述第二外延區(qū)域時(shí)，用第四雜質(zhì)原位摻雜所述第二外延區(qū)域，其中，所述第三雜質(zhì)是與所述第四雜質(zhì)不同的元素。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。