恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳文彥獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利通過回流填充材料進行溝槽填充獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113078110B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011190662.1，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權通過回流填充材料進行溝槽填充是由陳文彥;王立廷;謝宛蓁;盧柏全;黃泰鈞;張惠政;楊育佳設計研發完成，并于2020-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本通過回流填充材料進行溝槽填充在說明書摘要公布了：本公開涉及回流填充材料進行溝槽填充。一種方法，包括在基底結構上方形成第一突出鰭和第二突出鰭，其中，溝槽位于第一突出鰭和第二突出鰭之間，沉積延伸到溝槽中的溝槽填充材料，以及對溝槽填充材料執行激光器回流工藝。在回流工藝中，溝槽填充材料的溫度高于溝槽填充材料的第一熔點，并且低于第一突出鰭和第二突出鰭的第二熔點。在激光器回流工藝之后，溝槽填充材料被凝固。該方法還包括對溝槽填充材料進行圖案化，其中，溝槽填充材料的剩余部分形成柵極堆疊件的部分，以及在柵極堆疊件的一側上形成源極漏極區域。
本發明授權通過回流填充材料進行溝槽填充在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體結構的方法，包括：在基底結構上方形成第一突出鰭和第二突出鰭，其中，溝槽位于所述第一突出鰭和所述第二突出鰭之間；沉積延伸到所述溝槽中的溝槽填充材料；對所述溝槽填充材料執行激光器回流工藝，其中，在所述激光器回流工藝中，所述溝槽填充材料的溫度高于所述溝槽填充材料的第一熔點，并且低于所述第一突出鰭和所述第二突出鰭的第二熔點；在所述激光器回流工藝被執行的同時，使用溫度調節單元調節所述基底結構的溫度，其中所述溫度調節單元在所述基底結構下方；在所述激光器回流工藝之后，使得所述溝槽填充材料被凝固；對所述溝槽填充材料進行圖案化，其中，所述溝槽填充材料的剩余部分形成柵極堆疊件的部分；以及在所述柵極堆疊件的一側上形成源極漏極區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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