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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)與圖像傳感器及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113270431B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011228556.8，技術領域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權半導體結(jié)構(gòu)與圖像傳感器及其形成方法是由李汝諒;鄭有宏;杜友倫設計研發(fā)完成，并于2020-11-06向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構(gòu)與圖像傳感器及其形成方法在說明書摘要公布了：半導體結(jié)構(gòu)與圖像傳感器及其形成方法包括可在半導體襯底的前側(cè)上形成光電探測器、晶體管及金屬內(nèi)連結(jié)構(gòu)。通過各向異性刻蝕工藝朝半導體襯底的前側(cè)穿過背側(cè)表面形成溝槽，各向異性刻蝕工藝提供具有大于0.5納米的第一均方根表面粗糙度的垂直或錐形表面。通過在低于攝氏500度的生長溫度下對溝槽的垂直或錐形表面執(zhí)行外延生長工藝來沉積單晶半導體襯層。單晶半導體襯層的在實體上被暴露出的側(cè)表面可具有小于0.5納米的第二均方根表面粗糙度。可在實體上被暴露出的側(cè)表面上形成具有均勻厚度的至少一介電金屬氧化物襯層，以提供均勻的帶負電的膜，其可被有利地用于減少暗電流及白色像素。

本發(fā)明授權半導體結(jié)構(gòu)與圖像傳感器及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：半導體襯底，包括襯底半導體層，所述襯底半導體層具有第一平坦表面及與所述第一平坦表面平行的第二平坦表面且含有從所述第二平坦表面朝所述第一平坦表面延伸的溝槽，其中所述襯底半導體層的第一單晶半導體材料在所述溝槽的側(cè)壁處具有垂直或錐形表面，所述垂直或錐形表面具有大于0.5納米的第一均方根表面粗糙度；單晶半導體襯層，包含第二單晶半導體材料，所述第二單晶半導體材料含有垂直延伸部分，所述垂直延伸部分在第一側(cè)上具有與所述垂直或錐形表面接觸的第一側(cè)表面且具有第二側(cè)表面，所述第二側(cè)表面具有小于0.5納米的第二均方根表面粗糙度；以及至少一介電金屬氧化物襯層，位于所述單晶半導體襯層的所述第二側(cè)表面上。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。