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龍圖騰網恭喜無錫華潤上華科技有限公司申請的專利一種浮置源極接觸刻蝕工藝的測試結構以及監控方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695317B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011580881.0，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權一種浮置源極接觸刻蝕工藝的測試結構以及監控方法是由金宏峰;孫貴鵬;林峰;李春旭;陳淑嫻;黃宇;曹瑞彬;趙偉設計研發完成，并于2020-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種浮置源極接觸刻蝕工藝的測試結構以及監控方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種浮置源極接觸刻蝕工藝的測試結構以及監控方法。所述測試結構包括：半導體襯底，配置為下極板，半導體襯底包括有源區和非有源區；阻擋層，位于半導體襯底的有源區上；介質層，覆蓋半導體襯底和阻擋層；相互間隔設置的多個上極板，多個上極板位于有源區的上方，上極板包括孔槽和填充于孔槽的導電材料，孔槽貫穿介質層且延伸至阻擋層；接觸孔，貫穿介質層且延伸至半導體襯底；上極板金屬互聯，位于多個上極板的上方并與多個上極板電連接，且將多個上極板并聯后電連接至上極板焊盤；下極板金屬互聯，位于接觸孔的上方并與接觸孔電連接，且將半導體襯底電連接至下極板焊盤。

本發明授權一種浮置源極接觸刻蝕工藝的測試結構以及監控方法在權利要求書中公布了：1.一種浮置源極接觸刻蝕工藝的測試結構，其特征在于，所述測試結構包括：半導體襯底，配置為下極板，所述半導體襯底包括有源區和非有源區；阻擋層，位于所述半導體襯底的有源區上；介質層，覆蓋所述半導體襯底和所述阻擋層；相互間隔設置的多個上極板，多個所述上極板位于所述有源區的上方，所述上極板包括孔槽和填充于所述孔槽的導電材料，所述孔槽貫穿所述介質層且延伸至所述阻擋層；所述上極板作為浮置源極接觸；接觸孔，貫穿所述介質層且延伸至所述半導體襯底；上極板金屬互聯，位于多個所述上極板的上方并與多個所述上極板電連接，且將多個所述上極板并聯后電連接至上極板焊盤；下極板金屬互聯，位于所述接觸孔的上方并與所述接觸孔電連接，且將所述半導體襯底電連接至下極板焊盤。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新洲路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。