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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請(qǐng)的專利一種鍺硅電吸收調(diào)制器及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114355634B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111517323.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02F1/015；該發(fā)明授權(quán)一種鍺硅電吸收調(diào)制器及其制作方法是由孫嘉良;劉雨菲;蔡艷;余明斌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種鍺硅電吸收調(diào)制器及其制作方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種鍺硅電吸收調(diào)制器及其制作方法，其中，鍺硅電吸收調(diào)制器包括多晶硅層和硅襯底；N摻雜區(qū)，所述N摻雜區(qū)設(shè)置于所述多晶硅層中；P摻雜區(qū)，所述P摻雜區(qū)設(shè)置于所述硅襯底中，其中，所述硅襯底內(nèi)部設(shè)置有第一二氧化硅層，所述P摻雜區(qū)位于第一二氧化硅層上表面；鍺硅光子晶體波導(dǎo)，所述鍺硅光子晶體波導(dǎo)垂直設(shè)置于N摻雜區(qū)和P摻雜區(qū)之間，所述鍺硅光子晶體波導(dǎo)周圍填充有第二二氧化硅層，所述第二二氧化硅層的下表面與硅襯底相連、上表面與多晶硅層相連。本發(fā)明通過(guò)鍺硅光子晶體波導(dǎo)的慢光效應(yīng)增強(qiáng)材料對(duì)于光的吸收，從而提升器件性能。

本發(fā)明授權(quán)一種鍺硅電吸收調(diào)制器及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種鍺硅電吸收調(diào)制器，其特征在于，包括：多晶硅層和硅襯底；N摻雜區(qū)，所述N摻雜區(qū)設(shè)置于所述多晶硅層中；P摻雜區(qū)，所述P摻雜區(qū)設(shè)置于所述硅襯底中，其中，所述硅襯底內(nèi)部設(shè)置有第一二氧化硅層，所述P摻雜區(qū)位于第一二氧化硅層上表面；鍺硅光子晶體波導(dǎo)，所述鍺硅光子晶體波導(dǎo)通過(guò)在鍺硅波導(dǎo)上刻蝕若干圓形空氣孔，再通過(guò)生長(zhǎng)氧化層填滿圓形空氣孔，并形成三角晶格型光子晶體結(jié)構(gòu)得到；所述鍺硅光子晶體波導(dǎo)垂直設(shè)置于N摻雜區(qū)和P摻雜區(qū)之間，所述鍺硅光子晶體波導(dǎo)周圍填充有第二二氧化硅層，所述第二二氧化硅層的下表面與硅襯底相連、上表面與多晶硅層相連。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，其通訊地址為：200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。