買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114220816B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111520638.4，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權半導體結構的形成方法是由段松漢;齊翔羽;薛立平;佟宇鑫;顧林;王虎設計研發完成，并于2021-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：回刻蝕所述第一介質材料層和第二介質材料層直至暴露出所述刻蝕停止層，在所述第一開口側壁以及所述第三柵極側壁形成第一側墻，所述第一側墻包括第一介質層和第二介質層，以所述第一介質材料層形成第一介質層，以所述第二介質材料層形成第二介質層；以所述第一側墻為掩膜，在所述第一開口下方的存儲區內形成存儲漏區；在形成所述存儲漏區后，去除所述第一開口內的所述第二介質層；去除所述第一開口內的所述第二介質層后，在所述第一開口側壁、所述第三柵極側壁形成第二側墻，所述第二側墻的厚度小于所述第二介質層的厚度，利于后續層間介質層在第一柵極和第二柵極之間的填充，從而提高器件的性能。

本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底包括存儲區和外圍區；形成所述存儲區上的第一柵極和若干第二柵極，以及外圍區上的若干第三柵極，所述第一柵極和相鄰的第二柵極之間具有第一開口；在所述第一柵極、所述若干第二柵極和所述若干第三柵極的側壁和頂部表面以及襯底上形成刻蝕停止層、位于所述刻蝕停止層上的第一介質材料層，以及位于所述第一介質材料層上的第二介質材料層；回刻蝕所述第一介質材料層和第二介質材料層直至暴露出所述刻蝕停止層，在所述第一開口側壁以及所述第三柵極側壁形成第一側墻，所述第一側墻包括第一介質層和第二介質層，以所述第一介質材料層形成第一介質層，以所述第二介質材料層形成第二介質層；以所述第一側墻為掩膜，在所述第一開口下方的存儲區內形成存儲漏區；在形成所述存儲漏區后，去除所述第一開口內的所述第二介質層；去除所述第一開口內的所述第二介質層后，在所述第一開口側壁、所述第三柵極側壁形成第二側墻，所述第二側墻的厚度小于所述第二介質層的厚度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華虹半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區新洲路30號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。