買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜上海中欣晶圓半導體科技有限公司申請的專利一種降低硅片拋光霧發生率的CMP工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114446777B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111544330.3，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權一種降低硅片拋光霧發生率的CMP工藝是由陳凱;劉西安設計研發完成，并于2021-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種降低硅片拋光霧發生率的CMP工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及降低硅片拋光霧發生率的CMP工藝，包括涂蠟貼附、粗拋、中拋、精拋、剝離及去蠟清洗工序。通過在拋光布不同布時期間，調整拋光壓力、中精拋時間以及拋光液流量等工藝條件彌補布時中后期修復損傷層能力不足：中精拋布時周期均為80h，在布時50h之前采用一貫CMP工藝：中拋壓力2.2～2.4kgcm2，中拋光液流量1.9～2.1Lmin，精拋光液流量0.4～0.6Lmin，中拋時間8～12min，精拋時間7～9min，拋頭和定盤轉速35～45rpm；在布時50h之后，中拋壓力提高到2.5～2.7kgcm2，中拋光液流量提高到2.4～2.6Lmin，精拋光液流量提高到0.7～0.9Lmin，中拋時間延長到15～17min，精拋時間延長到9～11min,粗拋拋頭和定盤轉速55～65rpm，中精拋拋頭和定盤轉速35～45rpm。通過改進降低拋光霧的發生率，并在不降低拋光布使用壽命情況下使得整個布時周期過程均保持高拋光質量。

本發明授權一種降低硅片拋光霧發生率的CMP工藝在權利要求書中公布了：1.一種降低硅片拋光霧發生率的CMP工藝，其特征在于，包括如下步驟：1涂蠟貼附：將待處理硅片放置在涂蠟機上，轉速1700～2500rpm，涂蠟量0.7～1.2mL，烘烤溫度80～120℃；2粗拋：將步驟1處理后的硅片進行拋光，拋光頭轉速50～65rpm，定盤轉速50～65rpm，粗拋壓力3.5～4.5kgcm2，粗拋液流量1.8～2.5Lmin，pH值10.5～11.2；3中拋：布時周期為80h，在布時50h之前工藝條件如下：中拋壓力2.2～2.5kgcm2，拋光液流量1.9～2.1Lmin，中拋時間8～12min，拋光頭轉速35～45rpm，定盤轉速35～45rpm；在布時50h之后，中拋壓力提高到2.5～2.7kgcm2，拋光液流量提高到2.4～2.6Lmin，拋光時間延長到15～17min；4精拋：布時周期為80h，在布時50h之前工藝條件如下：拋光液流量0.4～0.6Lmin，精拋時間7～9min，拋光頭轉速35～45rpm，定盤轉速35～45rpm；在布時50h之后，拋光液流量提高到0.7～0.9Lmin，拋光時間延長到9～11min；5剝離及去蠟清洗：在純水流模式下，使用剝離刀手動剝離并進行去蠟清洗。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海中欣晶圓半導體科技有限公司，其通訊地址為：200444 上海市寶山區山連路181號1幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。