恭喜至微半導(dǎo)體(上海)有限公司廖世保獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜至微半導(dǎo)體(上海)有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種梯度結(jié)構(gòu)的晶圓的蝕刻方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114420553B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:202111674436.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/306;該發(fā)明授權(quán)一種梯度結(jié)構(gòu)的晶圓的蝕刻方法是由廖世保;徐銘;鄧信甫設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。
本一種梯度結(jié)構(gòu)的晶圓的蝕刻方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明公開(kāi)了一種梯度結(jié)構(gòu)的晶圓的蝕刻方法,涉及到半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,包括:S1、控制晶圓旋轉(zhuǎn),通過(guò)第一噴頭將酸蝕刻液噴在晶圓的上表面,并驅(qū)動(dòng)第一噴頭呈弧形往復(fù)擺動(dòng),同時(shí)向晶圓的上表面中心位置以及邊緣區(qū)域噴射熱氣流;S2、通過(guò)第二噴頭將酸蝕刻液噴在水平臺(tái)階面,并控制第二噴頭沿晶圓的邊緣方向往復(fù)擺動(dòng);S3、通過(guò)第三噴頭將酸蝕刻液傾斜噴射在豎直臺(tái)階面上。本發(fā)明中,在晶圓進(jìn)行蝕刻時(shí)向晶圓的表面以及邊緣位置通入熱氣流,實(shí)現(xiàn)加溫動(dòng)作,且通過(guò)第一噴頭、第二噴頭的擺動(dòng)以及第三噴頭的傾斜角度,能夠使得酸蝕刻液充分的覆蓋在晶圓的表面以及臺(tái)階面上,能夠提高蝕刻效果。
本發(fā)明授權(quán)一種梯度結(jié)構(gòu)的晶圓的蝕刻方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種梯度結(jié)構(gòu)的晶圓的蝕刻方法,所述晶圓的上表面的邊緣具有臺(tái)階面,所述臺(tái)階面包括相互連接的水平臺(tái)階面和豎直臺(tái)階面,其特征在于,包括:S1、控制所述晶圓旋轉(zhuǎn),通過(guò)第一噴頭將酸蝕刻液噴在所述晶圓的上表面,并驅(qū)動(dòng)所述第一噴頭呈弧形往復(fù)擺動(dòng),同時(shí)向所述晶圓的上表面中心位置以及邊緣區(qū)域噴射熱氣流;S2、通過(guò)第二噴頭將酸蝕刻液噴在所述水平臺(tái)階面,并控制所述第二噴頭沿所述晶圓的邊緣方向往復(fù)擺動(dòng);所述第二噴頭的軸線(xiàn)與所述水平臺(tái)階面垂直;S3、通過(guò)第三噴頭將酸蝕刻液傾斜噴射在所述豎直臺(tái)階面上;所述第三噴頭的軸線(xiàn)指向所述水平臺(tái)階面與所述豎直臺(tái)階面之間的夾角處。
如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù),可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人至微半導(dǎo)體(上海)有限公司,其通訊地址為:200241 上海市閔行區(qū)紫海路170號(hào)1幢3層03室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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