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龍圖騰網(wǎng)恭喜西安工程大學(xué)申請(qǐng)的專利頂注入電光調(diào)制結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114911081B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210734456.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02F1/01；該發(fā)明授權(quán)頂注入電光調(diào)制結(jié)構(gòu)是由馮松;王迪;胡翔建;劉勇;陳夢(mèng)林;馮露露設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本頂注入電光調(diào)制結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了頂注入電光調(diào)制結(jié)構(gòu)，頂注入電光調(diào)制結(jié)構(gòu)，包括SiO2埋氧層，SiO2埋氧層，SiO2埋氧層上覆蓋兩個(gè)N++阱區(qū)、Si平板層，兩個(gè)N++阱區(qū)分居Si平板層兩側(cè)，Si平板層上中部覆蓋波導(dǎo)區(qū)，波導(dǎo)區(qū)上部覆蓋P++阱區(qū)，每個(gè)N++阱區(qū)上均連接陰極電極，N++阱區(qū)上覆蓋陰極電極以外的區(qū)域、陰極電極、P++阱區(qū)、Si平板層上覆蓋波導(dǎo)區(qū)以外的區(qū)域上均覆蓋SiO2覆蓋層；通過(guò)在脊形頂部P型重?fù)诫s，平板層N型重?fù)诫s，從而形成頂注入新型p?i?n電光調(diào)制結(jié)構(gòu)，提高載流子注入，增強(qiáng)等離子色散效應(yīng)。

本發(fā)明授權(quán)頂注入電光調(diào)制結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.頂注入電光調(diào)制結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括SiO2埋氧層（1），所述SiO2埋氧層（1）上覆蓋兩個(gè)N++阱區(qū)（2）、Si平板層（3），兩個(gè)所述N++阱區(qū)（2）分居Si平板層（3）兩側(cè)，所述Si平板層（3）上中部覆蓋波導(dǎo)區(qū)（4），所述波導(dǎo)區(qū)（4）上部覆蓋P++阱區(qū)（5），所述P++阱區(qū)（5）上連接陽(yáng)極電極（17），每個(gè)所述N++阱區(qū)（2）上均連接陰極電極（6），N++阱區(qū)（2）上覆蓋陰極電極（6）以外的區(qū)域、陰極電極（6）、P++阱區(qū)（5）、陽(yáng)極電極（17）、Si平板層（3）上覆蓋波導(dǎo)區(qū)（4）以外的區(qū)域上均覆蓋SiO2覆蓋層（7）；波導(dǎo)區(qū)（4）材料為SiGe，波導(dǎo)寬度為420nm，所述波導(dǎo)區(qū)（4）與P++阱區(qū)（5）的高度和為130nm；Si平板層（3）高度90nm；所述P++阱區(qū)（5）的摻雜濃度為1×1020cm-3～5×1020cm-3，摻雜劑為B離子；P++阱區(qū)（5）的高度為1~100nm，寬度為420nm；所述N++阱區(qū)（2）的摻雜濃度為1×1020cm-3～5×1020cm-3，摻雜劑為P離子；N++阱區(qū)的高度為90nm，寬度為1μm；所述N++阱區(qū)（2）與波導(dǎo)區(qū)（4）邊界距離為1μm。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安工程大學(xué)，其通訊地址為：710048 陜西省西安市碑林區(qū)金花南路19號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。