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龍圖騰網(wǎng)恭喜東莞市中麒光電技術(shù)有限公司申請的專利發(fā)光芯片制作方法及發(fā)光芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115050862B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210765246.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)發(fā)光芯片制作方法及發(fā)光芯片是由付小朝;莊文榮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本發(fā)光芯片制作方法及發(fā)光芯片在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種發(fā)光芯片制作方法，包括提供制備有晶粒的生長襯底，將所述生長襯底的厚度從所述生長襯底遠(yuǎn)離晶粒的第一面減薄至第一目標(biāo)厚度；將厚度減薄至第一目標(biāo)厚度的所述生長襯底的第一面與量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層鍵合，以使所述量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層與所述晶粒被減薄后的所述生長襯底間隔，所述晶粒發(fā)出的光可穿過減薄后的生長襯底進(jìn)入所述量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種采用該制作方法制成的發(fā)光芯片。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明工序簡單，成品率高且可保證量子點(diǎn)的色轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明授權(quán)發(fā)光芯片制作方法及發(fā)光芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種發(fā)光芯片制作方法，其特征在于，包括：提供制備有晶粒的生長襯底，將所述生長襯底的厚度從所述生長襯底遠(yuǎn)離晶粒的第一面減薄至第一目標(biāo)厚度；將厚度減薄至第一目標(biāo)厚度的所述生長襯底的第一面與量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層鍵合，以使所述量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層與所述晶粒被減薄后的所述生長襯底間隔，所述晶粒發(fā)出的光可穿過減薄后的所述生長襯底進(jìn)入所述量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層；所述量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層包括具有多孔洞結(jié)構(gòu)的基板和填充于所述多孔洞結(jié)構(gòu)中的量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層的兩相對側(cè)面分別為具有多孔洞結(jié)構(gòu)的第一面和遠(yuǎn)離多孔洞結(jié)構(gòu)的第二面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人東莞市中麒光電技術(shù)有限公司，其通訊地址為：523000 廣東省東莞市東城街道桑園工業(yè)路17號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。