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龍圖騰網恭喜中國科學院光電技術研究所申請的專利一種用于電磁驅動MEMS振鏡模型建立的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116341199B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310122046.X，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權一種用于電磁驅動MEMS振鏡模型建立的方法是由馮志輝;王紫蕊設計研發完成，并于2023-02-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于電磁驅動MEMS振鏡模型建立的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種用于電磁驅動MEMS振鏡模型建立的方法，該方法首先通過對振鏡輸入幅值和頻率都隨時間衰減的正弦信號，使振鏡系統所有模態被持續激勵，并對振鏡的輸入輸出信號進行采樣。通過分析電磁驅動MEMS振鏡的機理得到模型結構，然后進行離散化處理，得到待辨識的振鏡模型參數矩陣。考慮到傳統遞推最小二乘法在參數辨識過程中會出現數據飽和現象，為保證頻率較低信號對參數辨識有一定的修正作用，在傳統遞推最小二乘算法中加入可變遺忘因子，最終提高振鏡模型參數辨識的精度，從而提高模型精度，同時該辨識算法也可以用于振鏡模型參數在線辨識。

本發明授權一種用于電磁驅動MEMS振鏡模型建立的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于電磁驅動MEMS振鏡模型建立的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1，對電磁驅動MEMS振鏡輸入幅值和頻率都隨時間衰減的正弦信號，并對所述電磁驅動MEMS振鏡的輸入信號和輸出信號分別進行采樣；步驟2，通過分析所述電磁驅動MEMS振鏡的機理得到振鏡系統平衡狀態力矩方程，并對所述振鏡系統平衡狀態力矩方程進行分析得到離散化振鏡模型結構；步驟3，針對所述的離散化振鏡模型結構設計帶可變遺忘因子的遞推最小二乘算法；步驟4，將所述輸入信號和所述輸出信號的采樣點數據輸入所述帶可變遺忘因子的遞推最小二乘算法進行參數辨識；步驟5，將所述參數辨識后得到的振鏡模型參數代入所述的離散化振鏡模型結構中，得到電磁驅動MEMS振鏡模型；所述步驟3中，所述帶可變遺忘因子的所述遞推最小二乘算法遞推公式為： 式中，表示待辨識參數矩陣第k次辨識結果，為所述可變遺忘因子，表示第k次誤差的協方差矩陣，表示校正增益矩陣，I表示單位矩陣，表示振鏡系統輸入輸出數據的觀測矩陣，表示的轉置，且的表達式為： ；所述的可變遺忘因子的函數表達式為： 式中，為可調參數，表示當前k時刻系統實際輸出值和上一次理論估計模型輸出值的差值。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院光電技術研究所，其通訊地址為：610209 四川省成都市雙流350信箱；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。