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龍圖騰網(wǎng)恭喜安邁特科技(北京)有限公司申請(qǐng)的專利復(fù)合集流體、復(fù)合極片、鋰電池及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN117199388B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202311227740.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01M4/66；該發(fā)明授權(quán)復(fù)合集流體、復(fù)合極片、鋰電池及其制造方法是由李永偉;孫欣森;公秀鳳;張偉思;劉鋼;劉桐;張建斌;侯建洋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-09-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本復(fù)合集流體、復(fù)合極片、鋰電池及其制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：本公開提供一種復(fù)合集流體、復(fù)合極片、鋰電池及其制造方法，其中，復(fù)合集流體包括：基片；多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以預(yù)設(shè)間距大致平行的沿基片表面延伸；第一包覆層，連續(xù)性地包裹于多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離基片的一側(cè)及每一個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的側(cè)面，使得第一包覆層在基片的正投影與基片重疊；多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以預(yù)設(shè)間距大致平行的沿基片表面延伸；第二包覆層，連續(xù)性地包裹于多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離基片的一側(cè)及每一個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的側(cè)面，使得第二包覆層在基片的正投影與基片重疊；其中，多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相對(duì)于基片對(duì)稱設(shè)置。

本發(fā)明授權(quán)復(fù)合集流體、復(fù)合極片、鋰電池及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種負(fù)極復(fù)合集流體，用于鋰電池，其特征在于，包括：基片；所述基片選自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚對(duì)苯二甲酸酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚對(duì)苯二甲酰對(duì)苯二胺、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丙乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚甲醛、環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂中的至少一種；多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以預(yù)設(shè)間距大致平行的沿所述基片表面延伸；第一包覆層，連續(xù)性地包裹于所述多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)，及連續(xù)性地包裹于每一個(gè)所述第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的側(cè)面，使得所述第一包覆層在所述基片的正投影與所述基片重疊；多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以所述預(yù)設(shè)間距大致平行的沿所述基片表面延伸；第二包覆層，連續(xù)性地包裹于所述多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)，及連續(xù)性地包裹于每一個(gè)所述第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的側(cè)面，使得所述第二包覆層在所述基片的正投影與所述基片重疊；其中，所述多個(gè)第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與多個(gè)第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述基片對(duì)稱設(shè)置；所述第一包覆層包括：第一隔離層，設(shè)置于所述第一包覆層的遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)；第一中間層，設(shè)置于所述第一包覆層的靠近所述基片的一側(cè)，配置為防止所述第一隔離層和所述第一線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的擴(kuò)散；第一防氧化層，設(shè)置于所述第一隔離層的遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)，配置為防止所述第一隔離層氧化；以及，所述第二包覆層包括：第二隔離層，設(shè)置于所述第二包覆層的遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)；第二中間層，設(shè)置于所述第二包覆層的靠近所述基片的一側(cè)，配置為防止所述第二隔離層和所述第二線型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的擴(kuò)散；第二防氧化層，設(shè)置于所述第二隔離層的遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)，配置為防止所述第二隔離層氧化；所述第一隔離層和第二隔離層的材料為Cu。

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