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龍圖騰網恭喜深圳芯能半導體技術有限公司申請的專利一種屏蔽柵場效應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117650179B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311611439.3，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種屏蔽柵場效應晶體管及其制備方法是由馬獻;劉杰設計研發完成，并于2023-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種屏蔽柵場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種屏蔽柵場效應晶體管及制備方法，屬于半導體技術領域，該屏蔽柵場效應晶體管包括：襯底層；外延層；體區；第一溝槽；源區；第二溝槽；肖特基接觸勢壘金屬。本發明通過在屏蔽柵場效應晶體管中集成肖特基勢壘二極管，即在屏蔽柵場效應晶體管旁邊設置若干個第二溝槽，各個第二溝槽中設置有柵極結構，在屏蔽柵場效應晶體管通電工作時，將肖特基接觸勢壘金屬、柵極結構和分布于柵極結構周圍的第一導電類型的外延層之間進行短接形成MOS結構屏蔽電場，降低了肖特基二極管的反向漏電流，從而有效降低了續流二極管的導通電壓，進而降低了導通損耗。

本發明授權一種屏蔽柵場效應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種屏蔽柵場效應晶體管，其特征在于，包括：第一導電類型的襯底層；第一導電類型的外延層，所述外延層位于所述襯底層上；第二導電類型的體區，所述體區位于所述外延層上的第一區域上；若干個第一溝槽，各個所述第一溝槽沿深度方向貫穿所述體區，并延伸至所述外延層上的第一區域內，各個所述第一溝槽中設置有屏蔽柵結構和控制柵結構，所述控制柵結構位于所述屏蔽柵結構的上方；第一導電類型的源區，所述源區位于所述體區上；若干個第二溝槽，各個所述第二溝槽沿深度方向延伸至所述外延層上的第二區域內，各個所述第二溝槽中設置有柵極結構；肖特基接觸勢壘金屬，所述肖特基接觸勢壘金屬位于所述外延層上的第二區域以及各個所述柵極結構上；在所述屏蔽柵場效應晶體管通電工作時，所述肖特基接觸勢壘金屬、所述柵極結構和分布于所述柵極結構周圍的第一導電類型的外延層之間進行短接形成MOS結構屏蔽電場。

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