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龍圖騰網恭喜IMEC非營利協會;魯汶天主教大學申請的專利金屬-有機骨架的選擇性沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109950129B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811337751.7，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權金屬-有機骨架的選擇性沉積是由M·克里斯塔布;S·阿米尼;I·斯塔森;R·阿姆洛特設計研發完成，并于2018-11-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本金屬-有機骨架的選擇性沉積在說明書摘要公布了：一種用于在基材10中的外露介電位置130上選擇性地形成低k介電膜140的方法200，所述方法200包括：利用區域選擇性沉積法使用一個或更多個沉積循環在所述外露介電位置130上選擇性地沉積210含金屬膜110；向沉積的含金屬膜110至少提供220一次至少一種有機配體的蒸氣而導致氣相化學反應，從而得到金屬?有機骨架140，所述金屬?有機骨架140是低k介電膜140，其中，所述低k介電膜140在未沉積含金屬膜的位置處具有間隙142。

本發明授權金屬-有機骨架的選擇性沉積在權利要求書中公布了：1.一種用于形成包含互連器的基材結構100的方法200，所述方法200包括：-提供包含外露介電位置130和位于所述外露介電位置130之間的金屬觸體120的基材10；-利用區域選擇性沉積法使用一個或更多個沉積循環在所述外露介電位置130上選擇性地沉積210含金屬膜110；-向沉積的含金屬膜110至少提供220一次至少一種有機配體的蒸氣而導致氣相化學反應，從而得到低k介電膜140，其中，所述低k介電膜140在未沉積含金屬膜的位置處具有間隙142；-在所述低k介電膜140以及位于介電位置130之間的金屬觸體120上施涂230蝕刻終止層150；-在所述蝕刻終止層150上沉積240間隙填充低k電介質160，以使所述間隙填充低k電介質160填充所述低k介電膜中的間隙142；-利用硬質掩模170覆蓋250所述間隙填充低k電介質160；-對所述硬質掩模170、所述間隙填充低k電介質160和所述蝕刻終止層150進行圖案化260，以形成至少一個朝向所述金屬觸體120的開口；-施涂270金屬化層，形成至少一個與所述金屬觸體接觸的通道180。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人IMEC非營利協會;魯汶天主教大學，其通訊地址為：比利時勒芬；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。