恭喜長鑫存儲技術有限公司許杞安獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利靜電保護電路及芯片獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112217186B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910616773.5,技術領域涉及:H02H9/04;該發明授權靜電保護電路及芯片是由許杞安設計研發完成,并于2019-07-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本靜電保護電路及芯片在說明書摘要公布了:本公開提供一種靜電保護電路,包括:第一靜電旁路,包括第一P型晶體管,漏極耦接于第一節點,源極耦接于第一電壓,柵極通過第一電阻模塊連接于第二電壓,第一節點電連接于信號輸入引腳;第二靜電旁路,包括第一N型晶體管,漏極耦接于第一節點,源極耦接于第二電壓,柵極通過第二電阻模塊連接于第一電壓;輸入緩沖電路,至少包括柵極耦接于第二節點的第二N型晶體管和第二P型晶體管;第三P型晶體管,耦接于第一節點、第二節點,控制端耦接于第三節點;控制模塊,耦接于第一電壓、第二電壓、第三節點,用于控制第三P型晶體管在ESD電流產生時關斷。本公開實施例可以克服MOS管柵氧化層厚度降低導致的GGNMOS電路保護功能失效問題。
本發明授權靜電保護電路及芯片在權利要求書中公布了:1.一種靜電保護電路,其特征在于,包括:第一靜電旁路,至少包括第一P型晶體管,所述第一P型晶體管的漏極耦接于第一節點,源極耦接于第一電壓,柵極通過第一電阻模塊連接于第一電壓,所述第一節點電連接于信號輸入引腳;第二靜電旁路,至少包括第一N型晶體管,所述第一N型晶體管的漏極耦接于所述第一節點,源極耦接于第二電壓,柵極通過第二電阻模塊連接于所述第二電壓;輸入緩沖電路,至少包括第二N型晶體管和第二P型晶體管,所述第二N型晶體管的柵極和所述第二P型晶體管的柵極耦接于第二節點;第三P型晶體管,第一端耦接于所述第一節點,第二端耦接于所述第二節點,控制端耦接于第三節點;控制模塊,第一端耦接于所述第一電壓,第二端耦接于所述第二電壓,輸出端耦接于所述第三節點,用于控制所述第三P型晶體管在ESD電流產生時關斷;其中,所述第一電阻模塊和所述第二電阻模塊用于提供電阻功能。
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