恭喜天津大學耿德超獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜天津大學申請的專利二維超薄非層狀材料β-Bi2O3的表面鈍化輔助生長方法和在光電領域中的應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119082700B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411199466.9，技術領域涉及：C23C16/40；該發明授權二維超薄非層狀材料β-Bi2O3的表面鈍化輔助生長方法和在光電領域中的應用是由耿德超;郭洋;張晴設計研發完成，并于2024-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本二維超薄非層狀材料β-Bi2O3的表面鈍化輔助生長方法和在光電領域中的應用在說明書摘要公布了：本發明公開了二維超薄非層狀材料β?Bi2O3的表面鈍化輔助生長方法和在光電領域中的應用，屬于二維非層狀材料和光電材料技術領域。本發明以Bi2O3為前驅體，以Bi2Se3為輔助劑，Bi2Se3在高溫下揮發的Se原子可以和β?Bi2O3薄片表面不飽和的Bi原子鍵合，進而鈍化了β?Bi2O3的表面，抑制了其在垂直方向的生長，促進了橫向生長，因而有利于獲得超薄大尺寸非層狀β?Bi2O3晶體。本發明提供的制備方法可控性高，能夠很好的解決非層狀材料厚度不可控的問題，有利于獲得具有超薄厚度和較大橫向尺寸的非層狀材料。
本發明授權二維超薄非層狀材料β-Bi2O3的表面鈍化輔助生長方法和在光電領域中的應用在權利要求書中公布了：1.二維超薄非層狀材料β-Bi2O3的表面鈍化輔助生長方法，其特征在于，包括以下步驟：以Bi2O3為前驅體，以Bi2Se3為輔助劑，將Bi2O3和Bi2Se3分別置于管式爐的熱源中心和上游，將氟金云母置于Bi2O3的正上方，然后升溫至生長溫度進行晶體生長，隨后降溫至室溫，得到二維超薄非層狀材料β-Bi2O3；所述Bi2O3和Bi2Se3的質量比為2:1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津大學，其通訊地址為：300072 天津市南開區衛津路92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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