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龍圖騰網恭喜安徽長飛先進半導體股份有限公司申請的專利半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119208385B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411699006.2，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛是由史田超;伍術;李小昆;鄧輝;鄒佳欣;謝祥;王子璐設計研發完成，并于2024-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛，涉及半導體技術領域，半導體器件的半導體本體被設置為第一導電類型，半導體本體包括被設置為第一導電類型的第一區域、第二導電類型的阱區以及第二導電類型的第二區域，第二區域及至少部分第一表面與半導體器件的源極連接形成肖特基接觸。半導體器件還包括多個被設置為第二導電類型的第一結構。肖特基接觸減少了半導體器件導通壓降和反向恢復時間以及反向恢復能耗，在續流的過程中不會發生空穴進入到漂移層的問題，降低了器件雙擊退化的風險，避免外接續流二極管。另外，多個第一結構提高了器件整體的反向特性和柵氧可靠性，從而保證器件長期可靠性。

本發明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：半導體本體，被設置為第一導電類型，包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面設置有柵極溝槽，所述柵極溝槽從所述第一表面延伸至所述半導體本體中；所述半導體本體還包括被設置為第一導電類型的第一區域，所述第一區域設置于所述第一表面；所述半導體本體還包括被設置為第二導電類型的阱區，所述阱區設置于所述第一區域遠離所述第一表面的一側；所述半導體本體還包括被設置為第二導電類型的第二區域，所述第二區域從所述第一表面延伸至所述半導體本體中；柵極結構，設置于所述柵極溝槽內；源極，設置于所述第一表面；所述第二區域及至少部分第一表面與所述源極連接形成肖特基接觸；漏極，設置于所述第二表面；多個第一結構，被設置為第二導電類型；所述半導體本體還包括位于所述柵極結構與所述第二表面之間的第一界面，所述多個第一結構設置于所述第一界面靠近所述第二表面的一側；所述半導體本體包括依次層疊的襯底、第一外延層和第二外延層，所述第二外延層的遠離所述襯底一側的表面為所述第一表面，所述襯底的遠離所述第二外延層一側的表面為所述第二表面；所述第一外延層的遠離所述襯底一側的表面為所述第一界面；所述多個第一結構從所述第一界面延伸至所述第一外延層中。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽長飛先進半導體股份有限公司，其通訊地址為：241002 安徽省蕪湖市弋江區馬塘街道利民東路82號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。