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龍圖騰網(wǎng)恭喜安徽長飛先進半導體股份有限公司申請的專利半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119208383B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411699001.X，技術領域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛是由羅成志;伍術;鐘敏設計研發(fā)完成，并于2024-11-26向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛，涉及半導體技術領域，半導體器件包括襯底、外延層、柵極結構、源極、漏極。其中，外延層包括遠離襯底一側的第一表面，外延層還包括阱區(qū)、第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域設置于第一表面，阱區(qū)設置于第一區(qū)域的遠離第一表面的一側，第二區(qū)域設置于第一表面且位于第一區(qū)域和阱區(qū)的外側。外延層還包括第一埋層和第二埋層，第一埋層設置于柵極結構的遠離第一表面的一側，且第一埋層與襯底電接觸，第二埋層設置于第二區(qū)域的遠離第一表面的一側，且第二埋層與第二區(qū)域電接觸。通過設置第一埋層和第二埋層改善半導體器件內電場分布，保護柵極結構，提高器件可靠性。

本發(fā)明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底，被設置為第二導電類型；外延層，設置于所述襯底上，所述外延層被設置為第二導電類型；所述外延層包括遠離所述襯底一側的第一表面，所述外延層還包括被設置為第一導電類型的阱區(qū)、被設置為第二導電類型的第一區(qū)域和被設置為第一導電類型的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域設置于所述第一表面，所述阱區(qū)設置于所述第一區(qū)域的遠離所述第一表面的一側，所述第二區(qū)域設置于所述第一表面，并從所述第一表面延伸至所述外延層中；柵極結構，從所述第一表面延伸至所述外延層中，且貫穿所述第一區(qū)域和所述阱區(qū)；源極，設置于所述第一表面，且與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域電連接；漏極，設置于所述襯底的遠離所述外延層的一側；其中，所述外延層還包括第一埋層和第二埋層，所述第一埋層和所述第二埋層均被設置為第一導電類型；所述第一埋層設置于所述柵極結構的遠離所述第一表面的一側，所述第一埋層與所述柵極結構之間被所述外延層的部分隔開，且所述第一埋層與所述襯底電接觸；所述第二埋層設置于所述第二區(qū)域的遠離所述第一表面的一側，且所述第二埋層與所述第二區(qū)域電接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人安徽長飛先進半導體股份有限公司，其通訊地址為：241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)馬塘街道利民東路82號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。