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龍圖騰網恭喜南京國兆光電科技有限公司申請的專利提升像素穩定性的Micro-LED結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119300561B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411793567.9，技術領域涉及：H10H20/80；該發明授權提升像素穩定性的Micro-LED結構及其制造方法是由孫真昊;張偉;彭勁松;丁源;宋琦;楊建兵設計研發完成，并于2024-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本提升像素穩定性的Micro-LED結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種提升像素穩定性的Micro?LED結構及其制造方法，結構包括：包含陽極反射電極的驅動基底，位于驅動基底上的Micro?LED管芯，Micro?LED管芯底部與陽極反射電極的頂部連接；所述Micro?LED管芯包括從下至上依次設置的空穴類型導電層、優化層、發光功能層、電子類型導電層，包裹陽極反射電極側壁、Micro?LED管芯側壁的鈍化層，位于Micro?LED管芯上的陰極電極；位于驅動基底之上、陰極電極之上、包裹鈍化層側壁的微透鏡。本發明所述方法制備的Micro?LED芯片像素化過程穩定，像素的側壁質量佳，像素的空間均勻性高。

本發明授權提升像素穩定性的Micro-LED結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種提升像素穩定性的Micro-LED結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟一、在襯底的表面上自下而上依次生長成核層、過渡緩沖層、電子類型導電層材料、發光功能層材料、優化層材料與空穴類型導電層材料，形成外延全結構薄膜；步驟二、在空穴類型導電層材料表面與驅動基底表面蒸鍍金屬，形成陽極反射電極材料；步驟三、去除外延全結構薄膜中襯底，使得外延全結構薄膜中成核層暴露；步驟四、進行第一步ICP刻蝕，包括：去除成核層、過渡緩沖層，對外延全結構薄膜進行像素化刻蝕，將電子類型導電層材料、發光功能層材料按照像素位置刻蝕為不連通的若干部分，形成電子類型導電層、發光功能層；步驟五、在電子類型導電層側壁及之上、發光功能層側壁生成保護介質層，在保護介質層的側壁和頂部生成第二步刻蝕掩膜；步驟六、進行第二步ICP刻蝕，包括：在第二步刻蝕掩膜的輔助下對優化層、空穴類型導電層、陽極反射電極的非像素區域進行刻蝕，實現像素間隔離；刻蝕后形成優化層、空穴類型導電層、陽極反射電極；步驟七、在電子類型導電層側壁、發光功能層側壁、優化層側壁、空穴類型導電層側壁、陽極反射電極側壁形成鈍化層，在鈍化層之上、電子類型導電層之上形成陰極電極；步驟八、在驅動基底之上、鈍化層側壁、陰極電極之上形成微透鏡；第一步ICP刻蝕中，通過優化層的引入，結合刻蝕參數調控，通過常規刻蝕設備實現第一步刻蝕自停止，ICP腔室氣體包括刻蝕氣體與環境氣體，刻蝕氣體與優化層適配實現自停止作用，為SF6、Cl2、BCl3的組合，或Cl2與O2的組合，環境氣體為Ar或者N2；第一步ICP刻蝕，分為快速刻蝕與刻蝕自停止階段，快速刻蝕階段成核層、過渡緩沖層、電子類型導電層材料與發光功能層材料的刻蝕速率≥2nms；刻蝕自停止階段優化層材料刻蝕速率≤0.3nms，并且優化層材料與空穴類型導電層材料或電子類型導電層材料之間的刻蝕選擇比≥4；優化層起到電子阻擋作用與刻蝕自停止作用。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京國兆光電科技有限公司，其通訊地址為：211111 江蘇省南京市江寧經濟技術開發區正方中路166號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。