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龍圖騰網恭喜西安交通大學申請的專利氧化鎵單晶生長過程中螺旋生長的判斷方法、裝置和設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119479867B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510051926.1，技術領域涉及：G16C20/10；該發明授權氧化鎵單晶生長過程中螺旋生長的判斷方法、裝置和設備是由李早陽;祁沖沖;楊垚;王君嵐;史睿菁;徐星宇;羅金平;劉立軍設計研發完成，并于2025-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本氧化鎵單晶生長過程中螺旋生長的判斷方法、裝置和設備在說明書摘要公布了：本申請提供了一種氧化鎵單晶生長過程中螺旋生長的判斷方法、裝置和設備，涉及單晶生長技術領域，包括：根據氧化鎵單晶生長系統的結構信息，建立幾何模型；對所述幾何模型內各個區域進行計算網格劃分，設置所述幾何模型中對應計算網格的邊界條件和控制方程，得到傳熱流動數值模型；基于所述傳熱流動數值模型，模擬在當前生長參數下的氧化鎵的傳熱流動過程，得到模擬結果；所述模擬結果包括：結晶生長過程中坩堝內氧化鎵熔體區域的流場信息；根據所述模擬結果中氧化鎵熔體區域的渦流分布情況，確定在所述當前生長參數下制備的氧化鎵是否會發生螺旋生長。

本發明授權氧化鎵單晶生長過程中螺旋生長的判斷方法、裝置和設備在權利要求書中公布了：1.一種氧化鎵單晶生長過程中螺旋生長的判斷方法，其特征在于，所述方法包括：根據氧化鎵單晶生長系統的結構信息，建立幾何模型；對所述幾何模型內各個區域進行計算網格劃分，設置所述幾何模型中對應計算網格的邊界條件和控制方程，得到傳熱流動數值模型；基于所述傳熱流動數值模型，模擬在當前生長參數下的氧化鎵的傳熱流動過程，得到模擬結果；所述模擬結果包括：結晶生長過程中坩堝內氧化鎵熔體區域的流場信息；其中，所述流場信息包括：各個計算網格處的速度大小及方向；根據所述模擬結果中氧化鎵熔體區域的渦流分布情況，確定在所述當前生長參數下制備的氧化鎵是否會發生螺旋生長；所述根據所述模擬結果中氧化鎵熔體區域的渦流分布情況，確定在所述當前生長參數下制備的氧化鎵是否會發生螺旋生長，包括：根據所述模擬結果中氧化鎵熔體區域各個計算網格處的速度大小及方向，確定生長界面的中心區域是否出現渦流；在所述中心區域沒有出現渦流的情況下，確定在所述當前生長參數下制備的氧化鎵不會發生螺旋生長；根據所述模擬結果中氧化鎵熔體區域各個計算網格處的速度大小及方向，確定生長界面的外緣區域是否出現渦流；在所述外緣區域沒有出現渦流的情況下，確定在所述當前生長參數下制備的氧化鎵會發生螺旋生長；在所述中心區域和所述外緣區域均出現渦流的情況下，確定滯止點的位置；所述滯止點為所述中心區域的渦流與所述外緣區域的渦流的交界區域的速度為零的點；根據所述滯止點的位置，確定在所述當前生長參數下制備的氧化鎵是否會發生螺旋生長。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學，其通訊地址為：710048 陜西省西安市碑林區咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。