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龍圖騰網恭喜華南理工大學申請的專利一種Si襯底上生長GaAs納米柱作為i型層的Si基太陽能電池結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119521794B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510065476.1，技術領域涉及：H10F10/17；該發明授權一種Si襯底上生長GaAs納米柱作為i型層的Si基太陽能電池結構及其制備方法是由李國強;王宜;劉勇;郭超英設計研發完成，并于2025-01-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種Si襯底上生長GaAs納米柱作為i型層的Si基太陽能電池結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于太陽能電池的技術領域，公開了一種Si襯底上生長GaAs納米柱作為i型層的Si基太陽能電池結構及其制備方法。所述太陽能電池結構從下至上包括背面電極、Si襯底、i型層GaAs納米柱、空穴傳輸層、正面電極；i型層GaAs納米柱通過以下方法制備：1）將Si襯底進行高溫退火，將Ga源和As源分別進行升溫，As源先蒸發，然后裂解；2在Si襯底上沉積一層Ga，高溫生長GaAs納米柱，低溫繼續生長，Si襯底上獲得i型層GaAs納米柱。本發明還公開了太陽能電池結構的制備方法。本發明使用Ga作為自催化劑，不會引入其他雜質，同時i型層GaAs納米柱能夠增強Si基太陽能電池太陽光的吸收，提升光電轉換效率。

本發明授權一種Si襯底上生長GaAs納米柱作為i型層的Si基太陽能電池結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種Si襯底上生長GaAs納米柱作為i型層的Si基太陽能電池結構，其特征在于：從下至上依次包括背面電極、Si襯底、GaAs納米柱、空穴傳輸層、正面電極；所述GaAs納米柱為i型層GaAs納米柱；所述i型層GaAs納米柱通過以下方法制備：S1）將Si襯底進行高溫退火；將Ga源和As源分別進行升溫，As源升溫時As源區依次分為蒸發區和裂解區，As源在蒸發區蒸發，然后輸送至裂解區裂解；Ga源升溫后的溫度為850~920℃；As源蒸發的溫度為250~350℃，裂解的溫度為900~1000℃；所述高溫退火的溫度為780~820℃，高溫退火的時間為10~20min；S2）升溫后的Ga源先在Si襯底的表面沉積一層Ga，然后裂解的As源與Ga源在沉積有Ga層的Si襯底的表面高溫生長GaAs納米柱，然后低溫繼續生長，Si襯底上獲得i型層GaAs納米柱；高溫生長的溫度為500~600℃，低溫繼續生長的溫度為400~500℃；所述高溫生長的時間為0.5~2h；所述低溫繼續生長的時間為10~30min；所述Si襯底的晶面為100、110或者111，摻雜類型為n型摻雜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華南理工大學，其通訊地址為：510640 廣東省廣州市天河區五山路381號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。