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龍圖騰網恭喜先材(深圳)半導體科技有限公司申請的專利金剛石基板、金剛石負載及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119542124B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510095749.7，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權金剛石基板、金剛石負載及其制備方法是由張晶;王陶;蘇琴;羅顯靖;胡向陽;肖雅南設計研發完成，并于2025-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本金剛石基板、金剛石負載及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種金剛石基板、金剛石負載及其制備方法，金剛石基板的制備方法包括：提供具有相對的第一面和第二面的金剛石片；采用激光切割方法在金剛石片上開設通槽，得到開槽基板，開槽基板的表面的第一至少部分區域覆蓋碳附著物；將開槽基板置入氫等離子體設備中，使開槽基板的第二至少部分區域暴露于氫等離子體氣體中，第二至少部分區域與第一至少部分區域全部重合或部分重合；向開槽基板提供氫等離子體氣體，使氫等離子體氣體對第二至少部分區域進行蝕刻，以去除第二至少部分區域的碳附著物，得到金剛石基板；本申請工藝簡便，高效快捷，進而可以有效提高金剛石通槽側面的膜層附著力，提升后端產品的穩定性。

本發明授權金剛石基板、金剛石負載及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種金剛石基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：提供具有相對的第一面和第二面的金剛石片；采用激光切割方法在所述金剛石片上開設預定義形狀的通槽，所述通槽從所述第一面至所述第二面貫通所述金剛石片，得到開槽基板；其中，所述開槽基板的表面包括所述第一面、所述第二面和通槽側壁，所述開槽基板的表面的第一至少部分區域覆蓋碳附著物，第一至少部分區域包括通槽側壁；所述通槽的預定義形狀包括，單個所述通槽在所述第一面或第二面上的投影為封閉圖案，所述封閉圖案包括中間部和設置于所述中間部兩端的端部，所述中間部為矩形，所述端部為圓弧狀；所述通槽寬度為0.2-0.25mm；將所述開槽基板置入氫等離子體設備中，將所述開槽基板的第二面放置于承載臺上，所述承載臺設置于所述氫等離子體設備中，使所述開槽基板的第二至少部分區域暴露于氫等離子體氣體中，所述第二至少部分區域與所述第一至少部分區域全部重合或部分重合；第二至少部分區域至少包括通槽側壁；所述承載臺的上表面設置若干條間隔分布的凸肋，所述開槽基板的第二面與所述凸肋的上表面直接接觸，所述開槽基板的通槽與所述凸肋相交；或，所述承載臺的上表面設置若干條間隔分布的凹槽，所述開槽基板的第二面與所述承載臺的上表面直接接觸，所述開槽基板的通槽與所述凹槽相交；向所述開槽基板提供氫等離子體氣體，使所述氫等離子體氣體對所述第二至少部分區域進行蝕刻，以去除所述第二至少部分區域的碳附著物，得到所述金剛石基板，所述蝕刻溫度的范圍為800~850℃，所述蝕刻時長為20-30分鐘，蝕刻過程中，所述氫等離子體設備的氣壓設定為8-12kPa，功率6-7KW。

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