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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京懷柔實(shí)驗(yàn)室申請的專利封裝電極及其制造方法、半導(dǎo)體封裝器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119560385B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510122630.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/48；該發(fā)明授權(quán)封裝電極及其制造方法、半導(dǎo)體封裝器件是由魏曉光;唐新靈;郝煒;林仲康;高佳敏;代安琪;石浩;王亮;趙曉亮;于克凡設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-01-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本封裝電極及其制造方法、半導(dǎo)體封裝器件在說明書摘要公布了：本公開涉及一種封裝電極及其制造方法、半導(dǎo)體封裝器件。所述制造方法包括：制備金剛石復(fù)合金屬基層，并于金剛石復(fù)合金屬基層的上下兩側(cè)表面分別形成第一合金層和第二合金層，于金剛石復(fù)合金屬基層的側(cè)壁上形成導(dǎo)電凸緣；其中，金剛石復(fù)合金屬基層、第一合金層、第二合金層和導(dǎo)電凸緣為一體結(jié)構(gòu)；第一合金層和第二合金層二者背離金剛石復(fù)合金屬基層的表面為機(jī)加工表面，用于直接接觸芯片；導(dǎo)電凸緣的法蘭焊接表面無金剛石成分。本公開有利于提升大尺寸封裝電極的成型質(zhì)量及性能，從而有效提升半導(dǎo)體封裝器件的封裝可靠性。

本發(fā)明授權(quán)封裝電極及其制造方法、半導(dǎo)體封裝器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種封裝電極的制造方法，其特征在于，制備金剛石復(fù)合金屬基層，并于所述金剛石復(fù)合金屬基層的上下兩側(cè)表面分別形成第一合金層和第二合金層，于所述金剛石復(fù)合金屬基層的側(cè)壁上形成導(dǎo)電凸緣；其中，所述金剛石復(fù)合金屬基層、所述第一合金層、所述第二合金層和所述導(dǎo)電凸緣為一體結(jié)構(gòu)；所述第一合金層和所述第二合金層二者背離所述金剛石復(fù)合金屬基層的表面為機(jī)加工表面，用于直接接觸芯片；所述導(dǎo)電凸緣的法蘭焊接表面無金剛石成分。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京懷柔實(shí)驗(yàn)室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區(qū)楊雁東一路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。