恭喜杭州士蘭集成電路有限公司;杭州士蘭微電子股份有限公司聞永祥獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜杭州士蘭集成電路有限公司;杭州士蘭微電子股份有限公司申請的專利MEMS麥克風及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110958548B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911215979.3，技術領域涉及：H04R19/00；該發明授權MEMS麥克風及其制造方法是由聞永祥;孫福河;劉琛;金文超;孫文良設計研發完成，并于2019-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本MEMS麥克風及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MEMS麥克風及其制造方法。所述方法包括：在襯底上依次形成第一隔離層、膜片和第二隔離層；在第二隔離層上依次形成第一保護層、背極板電極和第二保護層；形成貫穿第一保護層、背極板電極和第二保護層的釋放孔；形成貫穿襯底的聲腔；經由聲腔和釋放孔釋放膜片；以及在第一隔離層上形成凹槽，膜片共形地覆蓋在第一隔離層的表面上在凹槽的位置處形成彈簧結構。本發明在釋放膜片的蝕刻步驟中采用第一保護層和第二保護層保護背極板電極，使得在釋放膜片時背極板電極不被腐蝕，提高了器件的性能和可靠性。并且通過在膜片上形成彈簧結構有效地釋放了膜片的應力，提高了MEMS麥克風的靈敏度。
本發明授權MEMS麥克風及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造MEMS麥克風的方法，其中，包括：在襯底上依次形成第一隔離層、膜片和第二隔離層；在所述第二隔離層上依次形成第一保護層、背極板電極和第二保護層，所述第二保護層的第一部分形成在所述背極板電極的表面上，所述第二保護層的第二部分形成在所述第一保護層的表面上；形成貫穿所述第一保護層、所述背極板電極和所述第二保護層的釋放孔；形成貫穿所述襯底的聲腔；經由所述聲腔和所述釋放孔釋放所述膜片；以及在形成所述第一隔離層和所述膜片的步驟之間，還包括：在所述第一隔離層的表面上形成凹槽，所述膜片共形地覆蓋在所述第一隔離層的表面上，在所述凹槽的位置處形成彈簧結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州士蘭集成電路有限公司;杭州士蘭微電子股份有限公司，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市杭州經濟技術開發區10號大街(東)308號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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