杭州譜析光晶半導體科技有限公司許一力獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種淺溝道超結MOS半導體器件及其制備工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119603999B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510138278.3，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權一種淺溝道超結MOS半導體器件及其制備工藝是由許一力;李鑫;劉倩倩設計研發完成，并于2025-02-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種淺溝道超結MOS半導體器件及其制備工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種淺溝道超結MOS半導體器件及其制備工藝，包括漏極、源極、半導體外延層、柵極，以及覆蓋在柵極表面的柵氧化層，所述半導體外延層包括N襯底層和漂移層；所述漂移層的內部通過離子注入形成有P阱層、P?層二以及N阱層；所述柵極的截面呈‘T’字形狀；所述N阱層的內部通過離子注入形成有P?層一，所述漂移層的內部且位于相鄰兩個P?層二之間通過離子注入形成有窄重摻雜N層。本發明在接入柵極電壓之后，會在P?層二的內部形成電荷溝道，這樣N阱層與漂移層就能夠形成通路，并且P?層一的存在則會抑制N阱層內部流動的電荷向柵極區域匯集，這樣能夠大幅度降低寄生電荷的數量，從而提高MOS半導體器件的響應速度。
本發明授權一種淺溝道超結MOS半導體器件及其制備工藝在權利要求書中公布了：1.一種淺溝道超結MOS半導體器件，包括漏極1、源極2、半導體外延層、柵極4，以及覆蓋在柵極4表面的柵氧化層3，其特征在于：所述半導體外延層包括N襯底層5和漂移層6；所述漂移層6的內部通過離子注入形成有P阱層7、P-層二10以及N阱層8；所述柵極4的截面呈‘T’字形狀；所述N阱層8的內部通過離子注入形成有P-層一9；所述P-層一9和P-層二10分別位于N阱層8的上下兩側，并且P-層一9不與源極2歐姆接觸；所述漂移層6的內部且位于相鄰兩個P-層二10之間通過離子注入形成有寬重摻雜N層1101，其中寬重摻雜N層1101貫穿漂移層6并與N襯底層5接觸；所述P阱層7還包括有寬P阱層71，所述寬P阱層71貫穿漂移層6并與N襯底層5接觸。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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