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龍圖騰網(wǎng)恭喜杭州譜析光晶半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利一種淺溝道超結(jié)MOS半導(dǎo)體器件及其制備工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119603999B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510138278.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/63；該發(fā)明授權(quán)一種淺溝道超結(jié)MOS半導(dǎo)體器件及其制備工藝是由許一力;李鑫;劉倩倩設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種淺溝道超結(jié)MOS半導(dǎo)體器件及其制備工藝在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及MOS半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種淺溝道超結(jié)MOS半導(dǎo)體器件及其制備工藝，包括漏極、源極、半導(dǎo)體外延層、柵極，以及覆蓋在柵極表面的柵氧化層，所述半導(dǎo)體外延層包括N襯底層和漂移層；所述漂移層的內(nèi)部通過離子注入形成有P阱層、P?層二以及N阱層；所述柵極的截面呈‘T’字形狀；所述N阱層的內(nèi)部通過離子注入形成有P?層一，所述漂移層的內(nèi)部且位于相鄰兩個P?層二之間通過離子注入形成有窄重?fù)诫sN層。本發(fā)明在接入柵極電壓之后，會在P?層二的內(nèi)部形成電荷溝道，這樣N阱層與漂移層就能夠形成通路，并且P?層一的存在則會抑制N阱層內(nèi)部流動的電荷向柵極區(qū)域匯集，這樣能夠大幅度降低寄生電荷的數(shù)量，從而提高M(jìn)OS半導(dǎo)體器件的響應(yīng)速度。

本發(fā)明授權(quán)一種淺溝道超結(jié)MOS半導(dǎo)體器件及其制備工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種淺溝道超結(jié)MOS半導(dǎo)體器件，包括漏極1、源極2、半導(dǎo)體外延層、柵極4，以及覆蓋在柵極4表面的柵氧化層3，其特征在于：所述半導(dǎo)體外延層包括N襯底層5和漂移層6；所述漂移層6的內(nèi)部通過離子注入形成有P阱層7、P-層二10以及N阱層8；所述柵極4的截面呈‘T’字形狀；所述N阱層8的內(nèi)部通過離子注入形成有P-層一9；所述P-層一9和P-層二10分別位于N阱層8的上下兩側(cè)，并且P-層一9不與源極2歐姆接觸；所述漂移層6的內(nèi)部且位于相鄰兩個P-層二10之間通過離子注入形成有寬重?fù)诫sN層1101，其中寬重?fù)诫sN層1101貫穿漂移層6并與N襯底層5接觸；所述P阱層7還包括有寬P阱層71，所述寬P阱層71貫穿漂移層6并與N襯底層5接觸。

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