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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利半導體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111769038B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010517239.1，技術領域涉及：H01L21/033；該發明授權半導體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物是由大衛·查爾斯·史密斯;理查德·懷斯;阿潘·馬霍羅瓦拉;帕特里克·A·范克利蒙布特;巴特·J·范施拉芬迪克設計研發完成，并于2017-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物。在半導體器件制造中使用薄氧化錫膜作為間隔物。在一個實現方式中，薄氧化錫膜被共形沉積到具有第一材料例如，氧化硅或氮化硅的暴露層和包括第二材料例如硅或碳的多個突出特征的半導體襯底上。例如，可以使用原子層沉積來沉積10?100nm厚的氧化錫層。然后，氧化錫膜被從水平表面去除，而不被從突出特征的側壁完全去除。接下來，突出特征的材料被蝕刻掉，從而在襯底上留下氧化錫間隔物。之后，蝕刻第一材料的未保護部分，而不去除間隔物。接下來，蝕刻下層，并且去除間隔物。含錫顆粒可以通過將其轉化成揮發性氫化錫而從處理室中去除。

本發明授權半導體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物在權利要求書中公布了：1.一種處理半導體襯底的方法，所述方法包括：a提供半導體襯底，所述半導體襯底具有包括第一材料的暴露層和包括與所述第一材料不同的第二材料的至少一個突出特征；以及b在所述第一材料和所述第二材料兩者上沉積SnO2層，包括在所述至少一個突出特征的側壁上沉積所述SnO2層，其中所述第一材料和所述第二材料被選擇為使得對于第一蝕刻化學過程所述第一材料的蝕刻速率與SnO2的蝕刻速率的比率大于1，并且對于第二蝕刻化學過程所述第二材料的蝕刻速率與SnO2的蝕刻速率的比率大于1，并且其中所述沉積包括將所述半導體襯底的所述第一材料和所述第二材料暴露于含錫前體和含氧前體；c在沉積所述SnO2層之后，從所述半導體襯底的水平表面完全去除所述SnO2層，而不完全去除覆蓋所述至少一個突出特征的所述側壁的所述SnO2層；以及d在從所述半導體襯底的水平表面去除所述SnO2層之后，使用所述第二蝕刻化學過程完全去除所述至少一個突出特征，而不完全去除覆蓋所述至少一個突出特征的所述側壁的所述SnO2層，從而形成SnO2間隔物。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。